劉德音宣布：臺積電20納米下月量產(chǎn)
[導(dǎo)讀]臺積電昨（12）日召開第13屆供應(yīng)鏈管理論壇，由新上任的共同執(zhí)行長劉德音發(fā)表專題演說。劉德音感謝所有供應(yīng)商伙伴于過去一年對臺積電的協(xié)助，得以在去年快速拉高28納米產(chǎn)能，臺積電20納米將在下月量產(chǎn)，明年將是臺積
臺積電昨（12）日召開第13屆供應(yīng)鏈管理論壇，由新上任的共同執(zhí)行長劉德音發(fā)表專題演說。劉德音感謝所有供應(yīng)商伙伴于過去一年對臺積電的協(xié)助，得以在去年快速拉高28納米產(chǎn)能，臺積電20納米將在下月量產(chǎn)，明年將是臺積電全力沖刺20納米產(chǎn)能的一年。
全球半導(dǎo)體業(yè)界伙伴，超過500位與會。
臺積電供應(yīng)鏈管理論壇今年主題是「合作并共創(chuàng)雙贏」（Collaborate and Win Together），共計有超過500位來自全球半導(dǎo)體業(yè)界合作伙伴參與。
臺積電建立完整的大聯(lián)盟（Grand Alliance）生態(tài)系統(tǒng)，支持20/16納米強大擴(kuò)產(chǎn)需求，除了艾司摩爾（ASML）及應(yīng)用材料等國際設(shè)備大廠，包括家登、閎康、辛耘、中砂、漢微科等國內(nèi)設(shè)備或材料業(yè)者，將是臺積電明年及后年快速量產(chǎn)20/16納米制程的最重要合作伙伴。
劉德音表示，自董事長張忠謀于2009年回任執(zhí)行長后，已成功抓住行動裝置市場龐大商機(jī)，這由臺積電去年28納米先進(jìn)制程的成功就可看出具體成果。在合作伙伴的支持下，臺積電今年28納米營收可達(dá)54億美元規(guī)模，明年還將持續(xù)成長。
至于臺積電在指紋辨識傳感器、微機(jī)電、CMOS影像傳感器、高壓及嵌入式元件等特殊制程，也看到很好的成績。
劉德音強調(diào)，第二波客戶轉(zhuǎn)換采用28納米的訂單已經(jīng)浮現(xiàn)，相信未來幾年28納米仍將維持很高的產(chǎn)能利用率，臺積電也能保持高市占率。至于下月就要量產(chǎn)的20納米，則是臺積電近幾年來最關(guān)鍵的一個突破，因為20納米系統(tǒng)單芯片制程（20SoC）所生產(chǎn)的行動裝置核心芯片，效能大幅優(yōu)于28納米，也為后年進(jìn)入16納米鰭式場效晶體管（FinFET）制程量產(chǎn)打下基礎(chǔ)。
劉德音也宣布，臺積電16納米FinFET制程已經(jīng)進(jìn)入風(fēng)險生產(chǎn)（Risk Production）階段，將會在20納米量產(chǎn)一年后導(dǎo)入量產(chǎn)，由于20/16納米在雙重曝光（double patterning）及后閘極（gate-last）技術(shù)的改變，微縮難度更高，但臺積電20納米明年順利量產(chǎn)，后續(xù)16納米量產(chǎn)也會更順利，20/16納米將會是比28納米需求更強的重要制程。
全球半導(dǎo)體業(yè)界伙伴，超過500位與會。
臺積電供應(yīng)鏈管理論壇今年主題是「合作并共創(chuàng)雙贏」（Collaborate and Win Together），共計有超過500位來自全球半導(dǎo)體業(yè)界合作伙伴參與。
臺積電建立完整的大聯(lián)盟（Grand Alliance）生態(tài)系統(tǒng)，支持20/16納米強大擴(kuò)產(chǎn)需求，除了艾司摩爾（ASML）及應(yīng)用材料等國際設(shè)備大廠，包括家登、閎康、辛耘、中砂、漢微科等國內(nèi)設(shè)備或材料業(yè)者，將是臺積電明年及后年快速量產(chǎn)20/16納米制程的最重要合作伙伴。
劉德音表示，自董事長張忠謀于2009年回任執(zhí)行長后，已成功抓住行動裝置市場龐大商機(jī)，這由臺積電去年28納米先進(jìn)制程的成功就可看出具體成果。在合作伙伴的支持下，臺積電今年28納米營收可達(dá)54億美元規(guī)模，明年還將持續(xù)成長。
至于臺積電在指紋辨識傳感器、微機(jī)電、CMOS影像傳感器、高壓及嵌入式元件等特殊制程，也看到很好的成績。
劉德音強調(diào)，第二波客戶轉(zhuǎn)換采用28納米的訂單已經(jīng)浮現(xiàn)，相信未來幾年28納米仍將維持很高的產(chǎn)能利用率，臺積電也能保持高市占率。至于下月就要量產(chǎn)的20納米，則是臺積電近幾年來最關(guān)鍵的一個突破，因為20納米系統(tǒng)單芯片制程（20SoC）所生產(chǎn)的行動裝置核心芯片，效能大幅優(yōu)于28納米，也為后年進(jìn)入16納米鰭式場效晶體管（FinFET）制程量產(chǎn)打下基礎(chǔ)。
劉德音也宣布，臺積電16納米FinFET制程已經(jīng)進(jìn)入風(fēng)險生產(chǎn)（Risk Production）階段，將會在20納米量產(chǎn)一年后導(dǎo)入量產(chǎn)，由于20/16納米在雙重曝光（double patterning）及后閘極（gate-last）技術(shù)的改變，微縮難度更高，但臺積電20納米明年順利量產(chǎn)，后續(xù)16納米量產(chǎn)也會更順利，20/16納米將會是比28納米需求更強的重要制程。
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