聯(lián)電 攻特殊制程

晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)電（2303）昨（22）日宣布以1.1億美元（約新臺(tái)幣32.9億元）在新加坡12i設(shè)立特殊技術(shù)研發(fā)制造的基地「Center of Excellence」，市場(chǎng)解讀，聯(lián)電與臺(tái)積電在28納米以下力拚之余，將透過(guò)特殊制程與現(xiàn)有大廠(chǎng)差異化，打造成長(zhǎng)新契機(jī)。

聯(lián)電表示，看好車(chē)用、行動(dòng)、智能型手機(jī)與平板計(jì)算機(jī)等日益龐大的特殊制程市場(chǎng)，希望在先進(jìn)制程的技術(shù)提升之外進(jìn)行附加價(jià)值。

這項(xiàng)宣布，也是聯(lián)電第一個(gè)海外研發(fā)中心的打造計(jì)劃，聯(lián)電近日股價(jià)在外資強(qiáng)力回補(bǔ)下一度來(lái)到一年來(lái)新高，昨天小幅回檔，下跌0.2元，收盤(pán)價(jià)13.9元，成交量爆出15.87萬(wàn)余張，外資、投信分別買(mǎi)超3.4萬(wàn)張、2,900張，自營(yíng)商賣(mài)超6,300張。

聯(lián)電已陸續(xù)與意法半導(dǎo)體就55納米合作背照式影像傳感器（BSI CMOS），也與飛索半導(dǎo)體宣布就公司40納米的LP邏輯制程，展開(kāi)嵌入式電荷擷取快閃存儲(chǔ)器技術(shù)合作。

聯(lián)電近年來(lái)在12寸晶圓廠(chǎng)的技術(shù)投資多放在南科12A，新加坡因?yàn)橥顿Y成本較高，仍維持65納米以下的12寸技術(shù)，聯(lián)電營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)陳文洋表示，透過(guò)這座專(zhuān)為先進(jìn)特殊技術(shù)研發(fā)與制造基地所設(shè)計(jì)的12寸晶圓廠(chǎng)，促進(jìn)許多特殊制程所需技術(shù)的問(wèn)世，讓聯(lián)電充分掌握跨入新市場(chǎng)的契機(jī)。

聯(lián)電表示，新設(shè)立的「Center of Excellence」，將與微電子研究院等新加坡本地研究機(jī)構(gòu)進(jìn)行研發(fā)合作，并將已開(kāi)發(fā)之技術(shù)，包含背照式影像傳感器（BSI CMOS）、嵌入式存儲(chǔ)器、高壓應(yīng)用產(chǎn)品以及直通矽晶穿孔連結(jié)等。

聯(lián)電Fab 12i廠(chǎng)是公司唯一位于臺(tái)灣以外的12寸晶圓廠(chǎng)，現(xiàn)有月產(chǎn)能為近4.5萬(wàn)片，占聯(lián)電12寸晶圓總產(chǎn)出的45%。為了強(qiáng)化特殊技術(shù)的研發(fā)，聯(lián)電今年內(nèi)將于Fab 12i廠(chǎng)增加逾80名工程師。聯(lián)電Fab 12i廠(chǎng)累積至今的投入金額約為36億美元，現(xiàn)有員工人數(shù)約為1,600名。