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[導(dǎo)讀]Globalfoundries宣布將公司的55奈米(nm)低功率強化(LPe)制程技術(shù)平臺持續(xù)向上提升,推出具備 ARM 新一代記憶體和邏輯 IP 解決方案的 55nm LPe 1V 。55nm LPe 1V 是唯一支援 ARM 1.0/1.2V 實體 IP 資料庫的先進制程節(jié)

Globalfoundries宣布將公司的55奈米(nm)低功率強化(LPe)制程技術(shù)平臺持續(xù)向上提升,推出具備 ARM 新一代記憶體和邏輯 IP 解決方案的 55nm LPe 1V 。55nm LPe 1V 是唯一支援 ARM 1.0/1.2V 實體 IP 資料庫的先進制程節(jié)點,可讓晶片設(shè)計人員使用單一制程,在單一系統(tǒng)單晶片(SoC)下支援兩種作業(yè)電壓。
Globalfoundries產(chǎn)品行銷部副總裁 Bruce Kleinman 表示:「這款 55nm LPe 1V 產(chǎn)品最主要的優(yōu)點是,無論是要設(shè)計 1.0V 或 1.2V 的電源選項,都能使用相同的設(shè)計資料庫。也就是說,只需要采用同一套的設(shè)計規(guī)則和模式,無需額外的光罩層或特殊制程。如此不只可降低成本,提高設(shè)計彈性,更能維持一致的電源和最佳化功能?!?br>
Globalfoundries 的 55nm LPe 1V 采用 ARM 1.0V/1.2V與記憶體編譯器,方便設(shè)計人員將速度、電源及/或面積等設(shè)計最佳化,尤其對在系統(tǒng)單晶片解決方案的設(shè)計上受到電力限制的設(shè)計人員來說更為有利。

Globalfoundries 的先進 55nm LPe 制程,為結(jié)合 ARM 所提供完整經(jīng)過矽晶片驗證的 8-track、9-track 和 12-track 資料庫平臺,加上高速和高密度的記憶體編譯器。

ARM 實體 IP 部門行銷副總 John Heinlein 表示:「1V 和 1.2V 作業(yè)的整合,加上支援級的位移邏輯,將是低功率、高效能和小晶片面積的最佳組合。雙電壓域特性支援,搭配 Artisan 新一代記憶體編譯器架構(gòu),相較于前一代解決方案,能減少 35% 以上的動態(tài)及漏電功率?!?br>
55nm LPe 1V 尤其適用于大量、采電池供電的行動消費性裝置,還有各種環(huán)保或節(jié)能產(chǎn)品。產(chǎn)品開發(fā)套件和電子設(shè)計自動化工具現(xiàn)已供應(yīng),同時也提供晶圓共乘(MPW Shuttle)。

Artisan 記憶體提供彈性的制程選項,全球出貨量高達數(shù)十億組。延續(xù) Artisan 65nm 至 20nm 實體 IP 平臺的多樣化系列,這些新一代記憶體內(nèi)含低電壓和待機模式,能夠延長電池壽命,提供可將處理器速度提升至最高的超高速快取記憶體,同時也采用專利設(shè)計技術(shù),縮小低成本系統(tǒng)單晶片的設(shè)計面積。




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