[導讀]在2013年2月6日舉辦的“全球半導體論壇＠東京2013”（主辦：《日經(jīng)電子》）上登臺演講的臺積電日本公司代表董事小野寺誠介紹了臺積電（TSMC）2013年的微細化投資計劃。臺積電2013年的設備投資額計劃為90億美元，比上
在2013年2月6日舉辦的“全球半導體論壇＠東京2013”（主辦：《日經(jīng)電子》）上登臺演講的臺積電日本公司代表董事小野寺誠介紹了臺積電（TSMC）2013年的微細化投資計劃。臺積電2013年的設備投資額計劃為90億美元，比上年增加約10％，該公司打算將其中的大部分用于組建后28nm工藝生產(chǎn)線，目前正在同時建設五條生產(chǎn)線。
小野寺表示，臺積電“將在2013年建成兩個比較大的平臺”。一個是“20SOC”，為采用后柵極方式高介電率（high-k）柵極絕緣膜和金屬柵極的20nm工藝技術；另一個是“16FF”，為采用FinFET的16nm工藝技術。20nm工藝將把28nm工藝中分開的四個工藝技術整合成一個工藝。具體時間為，20nm工藝技術將在2013年1～3月開始風險量產(chǎn)，16nm工藝技術將提前至2013年10～12月開始風險量產(chǎn)。10nm工藝技術計劃在2015年10～12月開始風險量產(chǎn)。對于最近一個季度在銷售額中所占比例提高至22％的28nm工藝，今后將進一步擴大其產(chǎn)能。
臺積電將按照上述計劃，陸續(xù)在“Fab12（新竹）”、“Fab14（臺南）”以及“Fab15（臺中）”三個300mm晶圓工廠建立尖端工藝生產(chǎn)線。Fab12已經(jīng)啟動了量產(chǎn)28nm工藝的“Phase5”，正在組建量產(chǎn)20nm工藝和16nm工藝的“Phase6”，此外，還計劃組建量產(chǎn)16nm工藝和10nm工藝的“Phase7”。
Fab14啟動了量產(chǎn)40nm工藝的“Phase4”，正在組建跳過28nm工藝量產(chǎn)20nm工藝的“Phase5”及“Phase6”，面向20nm工藝的“Phase7”也在計劃之中。Fab15啟動了量產(chǎn)28nm工藝的“Phase2”，正為了擴大28nm工藝產(chǎn)能而組建“Phase3”和“Phase4”。
臺積電目前約有4000名員工在開發(fā)尖端工藝技術。小野寺表示，“其中多數(shù)人都在從事20～10nm工藝及其以后的工藝技術開發(fā)”。（記者：大下 淳一，《日經(jīng)電子》）
小野寺表示，臺積電“將在2013年建成兩個比較大的平臺”。一個是“20SOC”，為采用后柵極方式高介電率（high-k）柵極絕緣膜和金屬柵極的20nm工藝技術；另一個是“16FF”，為采用FinFET的16nm工藝技術。20nm工藝將把28nm工藝中分開的四個工藝技術整合成一個工藝。具體時間為，20nm工藝技術將在2013年1～3月開始風險量產(chǎn)，16nm工藝技術將提前至2013年10～12月開始風險量產(chǎn)。10nm工藝技術計劃在2015年10～12月開始風險量產(chǎn)。對于最近一個季度在銷售額中所占比例提高至22％的28nm工藝，今后將進一步擴大其產(chǎn)能。
臺積電將按照上述計劃，陸續(xù)在“Fab12（新竹）”、“Fab14（臺南）”以及“Fab15（臺中）”三個300mm晶圓工廠建立尖端工藝生產(chǎn)線。Fab12已經(jīng)啟動了量產(chǎn)28nm工藝的“Phase5”，正在組建量產(chǎn)20nm工藝和16nm工藝的“Phase6”，此外，還計劃組建量產(chǎn)16nm工藝和10nm工藝的“Phase7”。
Fab14啟動了量產(chǎn)40nm工藝的“Phase4”，正在組建跳過28nm工藝量產(chǎn)20nm工藝的“Phase5”及“Phase6”，面向20nm工藝的“Phase7”也在計劃之中。Fab15啟動了量產(chǎn)28nm工藝的“Phase2”，正為了擴大28nm工藝產(chǎn)能而組建“Phase3”和“Phase4”。
臺積電目前約有4000名員工在開發(fā)尖端工藝技術。小野寺表示，“其中多數(shù)人都在從事20～10nm工藝及其以后的工藝技術開發(fā)”。（記者：大下 淳一，《日經(jīng)電子》）
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