聯(lián)電/星科金朋展示全球首件開放式供應(yīng)鏈3D IC

聯(lián)電 (2303)與新加坡半導(dǎo)體封測(cè)廠商星科金朋( STATS ChipPAC )今(29日)共同宣布，展示全球第一件在開放式供應(yīng)鏈環(huán)境下合作開發(fā)的內(nèi)嵌矽穿孔(TSV) 3D IC技術(shù)。聯(lián)電指出，所展示的3D晶片堆疊，是由Wide I/O記憶體測(cè)試晶片和內(nèi)嵌TSV的28 奈米微處理器測(cè)試晶片所構(gòu)成，并且達(dá)成封裝層級(jí)可靠度評(píng)估重要的里程碑。此次的成功，證明了透過(guò)聯(lián)電與星科金朋的合作，在技術(shù)和服務(wù)上結(jié)合晶圓專工與封測(cè)供應(yīng)鏈，可望順利實(shí)現(xiàn)高可靠度3D IC制造的全面解決方案。
星科金朋技術(shù)創(chuàng)新副總Shim Il Kwon表示，晶片整合層次提升的趨勢(shì)正快速演進(jìn)當(dāng)中，而3D IC技術(shù)在增進(jìn)IC功能上勢(shì)必扮演不可或缺的角色，實(shí)現(xiàn)的模式也將多元化。在開放式供應(yīng)鏈的合作模式下，晶圓專工業(yè)尖端的TSV、前段晶圓制程可以與封測(cè)業(yè)高度創(chuàng)新的中段、后段3D IC堆疊封測(cè)制程整合成互補(bǔ)的完整平臺(tái)，為半導(dǎo)體市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)可靠的3D IC解決方案。而星科金朋很高興聯(lián)電作為晶圓專工伙伴所做的承諾與投入，并期待雙方在未來(lái)能更進(jìn)一步合作。此次推出的解決方案平臺(tái)，將可協(xié)助客戶掌握新市場(chǎng)契機(jī)。
聯(lián)電先進(jìn)技術(shù)開發(fā)處簡(jiǎn)山杰副總則表示，認(rèn)為3D IC無(wú)需局限在封閉的商業(yè)模式之下開發(fā)，因此聯(lián)電致力與所有主要的封測(cè)伙伴合作開發(fā)3D IC，并且都有相當(dāng)程度的進(jìn)展。他指出，聯(lián)電與封測(cè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，例如星科金朋之間的合作成果，可說(shuō)更加確立3D IC開放式供應(yīng)鏈的運(yùn)作方式。對(duì)3D IC客戶而言，此模式在開發(fā)與執(zhí)行過(guò)程中，可讓晶圓專工與封裝測(cè)試廠商可以充分發(fā)揮各自的核心優(yōu)勢(shì)，與封閉式3D IC開發(fā)模式相比，客戶將受惠于更高的供應(yīng)鏈管理彈性，以及技術(shù)取得更加透明等優(yōu)點(diǎn)。
聯(lián)電與星科金朋經(jīng)驗(yàn)證的3D IC開放式供應(yīng)鏈，為業(yè)界供應(yīng)鏈間的合作，建立了實(shí)現(xiàn)共贏的重要范例與標(biāo)準(zhǔn)。在此一合作開發(fā)計(jì)畫中，聯(lián)電所提供的前段晶圓制程，包含晶圓專工等級(jí)細(xì)間距、高密度TSV制程，可順暢地與聯(lián)電28奈米Poly SiON制程相整合。此專案獲取的know-how也將運(yùn)用于聯(lián)電28奈米High-K/metal gate制程。而中段與后段制程部分，則由星科金朋執(zhí)行晶圓薄化、晶圓背面整合、細(xì)微線距銅柱凸塊，與高精密度晶片對(duì)晶片3D堆疊等。