臺積Q4試產(chǎn)20nm SoC；明年推16nm FinFET制程

ARM今(23)日舉辦年度技術(shù)研討會，臺積電 (2330)技術(shù)長孫元成(見附圖)獲邀出席，分享臺積電于先進制程的布局。孫元成指出，臺積電的20 奈米 SoC解決方案預計今年Q4即可試產(chǎn)(risk production)，而相隔一年后、明年11月則預計推出16奈米FinFET制程(技術(shù)水準相當于競爭者的14奈米)的試產(chǎn)，相對于20奈米制程將能更節(jié)省功耗、效能也更高。至于再下一個世代的10奈米FinFET制程，臺積電則預計于2015年底推出。
關(guān)于20奈米SoC的功耗與效能表現(xiàn)，孫元成表示，20奈米SoC解決方案若相較于28奈米HKMG(高介電常數(shù)金屬閘極)制程，可增加約25%的效能，并減少30%的耗能，跨入16奈米制程后，則是FinFET架構(gòu)的天下，而ARM也和臺積電攜手合作，臺積電將使用ARM的首款64 位元處理器v8來測試16奈米FinFET制程，并可望在明年11月推出首款測試晶片。
孫元成指出，臺積電研發(fā)FinFET架構(gòu)超過10年，由于FinFET架構(gòu)的閘極包覆奈米線通道的角度相當完整，因此具備節(jié)省功耗的優(yōu)點，很適合應用于行動裝置，可說從智慧型手機、平板到工業(yè)用途都罩得住。而明年底16奈米FinFET制程也就可以驗證完畢，目前則已經(jīng)送樣，此部分布局可說已經(jīng)就緒。
關(guān)于業(yè)界討論熱烈的摩爾定律是否有所局限，對此孫元成觀察，摩爾定律還有長路可走，雖然極紫外光微影制程(EUV)發(fā)展速度稍有延遲，但他認為只要EUV技術(shù)可以做到成熟，接下來一直到5奈米制程都可以持續(xù)趨近遵循摩爾定律；而除摩爾定律外，臺積電也正在研發(fā)3D晶片堆疊技術(shù)，可望為先進制程開拓更多可能性。