聯電40納米年底占比15%，Q4續(xù)處分業(yè)外轉投資

聯電(2303)執(zhí)行長孫世偉表示，40納米制程于今年底到達15%營收的內部目標可望提前完成。先進制程的28納米進度符合預期。此外，第四季將持續(xù)處分業(yè)外持股以緩和認列日本子公司損失對損益的影響。
聯電公司指出，40納米制程芯片需求暢旺，營收貢獻從第二季9%成長至第三季的13%，年底到達15%營收的內部目標可望提前完成。
為提供客戶在蓬勃發(fā)展的觸控芯片領域最具競爭力的解決方案，聯電日前宣布推出創(chuàng)新的embedded Flash特殊制程技術平臺，已為數家觸控領導廠商采用并量產，聯電樂觀預期這些特殊制程技術將為聯電的成長注入動能。

針對28納米制程，孫世偉表示，28納米進度符合預期，其中依照聯電28納米設計套件(design-in)的產品良率持續(xù)提升中，首波28納米porting產品良率的提升經過幾個月元件及制程參數之調整，已獲得顯著的進展。聯電也在第三季成功tape-out使用28納米high-k and metal-gate(gate-last)制程的移動通信產品，并陸續(xù)與包含28納米移動通信、運算，有線、無線網絡，數碼電視，資料儲存控制器以及可程序邏輯等應用的客戶密切合作。同時，在IBM FinFET技術授權的基礎上，聯電決定積極投入14納米FinFET(+20nm metal)制程技術的開發(fā)。
此外，聯電第三季認列日本子公司UMCJ清算損失約10.5億元，預計未來1-2季還會持續(xù)認列損失，惟預估金額將會減少。另一方面，聯電第三季大舉處分業(yè)外投資，包括處分聯詠(3034)、原相(3227)等持股，挹注聯電第三季業(yè)外仍小賺8300萬元，降低清算UMCJ的沖擊。聯電第四季擬持續(xù)處分手上轉投資持股，來緩和認列UMCJ損失對當期損益的影響。