中微公司發(fā)布新一代等離子刻蝕設備

近日，中微半導體發(fā)布了兩款新一代刻蝕設備。

新設備中的第一款是Primo SSC AD-RIE(“單反應器甚高頻去耦合反應離子介質刻蝕機”)，可應用于最先進的存儲芯片和邏輯芯片的加工生產，包括2x納米及1x納米代高深寬比接觸孔刻蝕、溝槽及接觸孔刻蝕、串行刻蝕(在單反應器中實現多步操作)。Primo SSC AD-RIE擁有獨特的創(chuàng)新設計，能夠在工藝控制方面實現前所未有的靈活性，并能幫助芯片生產商在確保芯片加工質量的同時達到更高的產出效率。

另一款，12英寸硅通孔刻蝕設備Primo TSV300E?，拓展了原有的8英寸硅刻蝕產品Primo TSV200E?的能力，可用于多種硅深孔及深槽刻蝕。公司的8英寸硅通孔刻蝕設備Primo TSV200E?獲得業(yè)界認可，已被亞洲眾多客戶用于先進系統(tǒng)封裝、2.5維封裝和微機電系統(tǒng)芯片的生產。中微第一臺Primo TSV300E?設備已在國內領先的晶圓封裝廠運轉。

這兩種設備強化了中微公司產品布局，為全球芯片生產商應對半導體工藝的挑戰(zhàn)提供了更多、更新、更好的解決方案。

中微公司董事長兼首席執(zhí)行官尹志堯認為，這些設備都具有領先的獨特創(chuàng)新，能夠解決隨著技術進步和材料深度整合出現的新的技術障礙。他表示：“這些設備也能為芯片生產商帶來顯著的成本競爭優(yōu)勢，創(chuàng)造更多價值?！?/p>