Globalfoundries的14nm節(jié)點僅「小幅微縮」

Globalfoundries下一代制程名為XM ，意指極高的遷移性，也表示該公司將能提供更先進的性能和功耗。其功耗優(yōu)勢在于有功功率消耗可減少40%~60%，Chian表示。

僅僅在啟動20nm CMOS制程后一年，Globalfoundries就積極導入14XM節(jié)點，這也是該公司首次部署鰭狀電晶體。然而，要做到這一點，該公司要使用與其20LPM制程相同的中間和后端金屬，而且用FinFET來取代平面電晶體。為了緩解客戶的上市壓力，Globalfoundries也使用了可移植的IP模組，而用于14XM制程的這些模組往往與用在20LPM制程中的有著相同的面積。

Globalfoundries 設計開發(fā)副總裁Mojy Chian表示，這將讓開發(fā)人員盡可能地在早期設計就開始使用。這種策略將使晶片制造領域跳脫過去僅依循晶片尺寸微縮和節(jié)省成本的發(fā)展路線，進而驅動整個產(chǎn)業(yè)轉型。“價值主張在于功耗及性能，而非尺寸，”Chian說。他接著表示，“快速地轉移，是新制程最重要的一個部份?！?/font>

但他也指出，與20nm平面電晶體相比，由于FinFET的電流驅動強度將會增加，因此設計師或許可以選擇重新合成設計，并針對某些特定設計從設計庫中選用較小尺寸的單元。他表示，使用尺寸不同的單元某種程度上也有助于減小尺寸。

Chian對于導入14XM制程深具信心，并表示該制程不必等待超紫外光(EUV)微影技術。[!--empirenews.page--]他表示，“其后端與20LPM相同。它們都能用雙重圖案來完成?！?/font>

英特爾是率先推出使用FinFET的22nm 商業(yè)化制程公司。然而，該制程一直被批評為僅提供單一電晶體的閾值電壓，這將限制設計人員，而且也并非真的尋求降低功耗的方法。但英特爾已宣布，2013年該公司將量產(chǎn)采用第二代22nm FinFET制程的元件。

Chian 則表示，14XM將讓設計人員更容易使用。“我們計劃提供多閾值電壓。我們不希望有任何設計限制。不過，VT會被量化，設計人員必須體認到這一點?！?/font>

其競爭對手臺積電(TSMC)也預計在16nm節(jié)點采用FinFET。