聯(lián)電獲萊迪思40nm非揮發(fā)性產(chǎn)品代工訂單

時間：2012-07-15 00:49:00

關(guān)鍵字：聯(lián)電萊迪思聯(lián)華電子低功耗

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[導(dǎo)讀]萊迪思(Lattice)宣布與聯(lián)華電子建立長期技術(shù)的合作關(guān)系。在此合作關(guān)系的基礎(chǔ)下，萊迪思與聯(lián)華將持續(xù)進行以先進科技制程為基礎(chǔ)的非揮發(fā)性產(chǎn)品的開發(fā)工作，并將成果快速擴展應(yīng)用至萊迪思的其他產(chǎn)品線。萊迪思總裁兼執(zhí)

萊迪思(Lattice)宣布與聯(lián)華電子建立長期技術(shù)的合作關(guān)系。在此合作關(guān)系的基礎(chǔ)下，萊迪思與聯(lián)華將持續(xù)進行以先進科技制程為基礎(chǔ)的非揮發(fā)性產(chǎn)品的開發(fā)工作，并將成果快速擴展應(yīng)用至萊迪思的其他產(chǎn)品線。

萊迪思總裁兼執(zhí)行長Darin G. Billerbeck表示，從通訊基礎(chǔ)設(shè)施到行動消費裝置，萊迪思越來越關(guān)注低成本及低功耗的市場，尤其了解其中的成功關(guān)鍵就在于擁有一個彈性的非揮發(fā)性技術(shù)，去年12月收購的矽藍(lán)(SiliconBlue)，就是提供這種技術(shù)的廠商，而聯(lián)華能快速地使用該技術(shù)開發(fā)創(chuàng)新的產(chǎn)品。

萊迪思正積極地與聯(lián)華電子合作，并計畫將于2012年底前推出由聯(lián)華電子制造的40奈米(nm)非揮發(fā)性產(chǎn)品，未來也將推出以28nm節(jié)點制程為基礎(chǔ)的下一代主力產(chǎn)品線。

聯(lián)華執(zhí)行長孫世偉指出，聯(lián)華??將擴大與萊迪思的合作關(guān)系，將來迪思40nm和28nm產(chǎn)品推向市場。聯(lián)華電子的28nm HLP制程能滿足產(chǎn)品所需的性能，同時保有低功耗和低成本的特性，使萊迪思在低功耗現(xiàn)場可編程邏輯閘陣列(FPGA)市場中獲得競爭優(yōu)勢。

此外，聯(lián)華也持續(xù)提升產(chǎn)能，300毫米(mm)Fab 12A開創(chuàng)性的5&6期生產(chǎn)技術(shù)，將滿足萊迪思長久以來先進的制造要求。

萊迪思網(wǎng)址：www.latticesemi.com