攜手IBM 聯(lián)電可望在晶圓代工扳回一城
[導(dǎo)讀]聯(lián)電 ( UMC )稍早前宣布，與IBM達(dá)成協(xié)議，將加快其20nm制程及FinFET 3D 電晶體的發(fā)展，而此舉也很可能讓聯(lián)電成為唯一一家在20nm節(jié)點(diǎn)提供FinFET元件的純 ??晶圓代工廠。聯(lián)電正在努力扭轉(zhuǎn)局面。近年來(lái)，聯(lián)電和主要競(jìng)爭(zhēng)
聯(lián)電 ( UMC )稍早前宣布，與IBM達(dá)成協(xié)議，將加快其20nm制程及FinFET 3D 電晶體的發(fā)展，而此舉也很可能讓聯(lián)電成為唯一一家在20nm節(jié)點(diǎn)提供FinFET元件的純 ??晶圓代工廠。聯(lián)電正在努力扭轉(zhuǎn)局面。近年來(lái)，聯(lián)電和主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電(TSMC)的技術(shù)差距不斷拉大，而Globalfoundries不久前也宣布銷售額超越聯(lián)電，將聯(lián)電擠到了晶圓代工排名第三位。
臺(tái)積電(TSMC) 和Globalfoundries 都可算在2014或2015年時(shí)，于14nm 節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入3D FinFET元件。部份先進(jìn)代工客戶如Nvidia 則表示，他們希望代工廠能更快提供FinFET。因而部份業(yè)界人士猜測(cè)，臺(tái)積電和GlobalFoundries很可能會(huì)改變他們的發(fā)展藍(lán)圖，提前納入FinFET。
Globalfoundries 發(fā)言人表示，該公司已經(jīng)完成了完全耗盡型絕緣層上覆矽(SOI)技術(shù)的評(píng)估，預(yù)計(jì)2013年便可提供給客戶使用，而早期采用的客戶將可獲得該技術(shù)提供的性能優(yōu)勢(shì)?！拔覀兒皖I(lǐng)先客戶密切合作，以確保這項(xiàng)技術(shù)在成本、易于設(shè)計(jì)、微縮等方面都是最佳化的解決方案?！?br>英特爾(Intel)已開(kāi)始在22nm節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)采用其FinFET元件(或稱三閘極電晶體, tri-gate)的晶片。目前，許多領(lǐng)先的無(wú)晶圓廠公司們，都希望藉由該技術(shù)來(lái)改善功耗。(英特爾已公開(kāi)表示該公司正在為少數(shù)幾家規(guī)模較小的公司使用其22nm 3D技術(shù)生產(chǎn)晶片。但也有傳言指出，英特爾也正與其他數(shù)家公司就代工業(yè)務(wù)展開(kāi)合作，其中還包括一些重量級(jí)的無(wú)晶圓廠晶片業(yè)者)。
在20nm節(jié)點(diǎn)納入FinFET將使聯(lián)電在標(biāo)準(zhǔn)平面20nm制外，也有能力提供20nm制程的低功耗版本。無(wú)論是臺(tái)積電或Globalfoundries，都計(jì)劃提供低功耗20nm制程。今年四月，臺(tái)積電執(zhí)行副總暨共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)蔣尚義曾表示，20nm的關(guān)鍵尺寸幾乎沒(méi)有足夠空間來(lái)為不同閘極長(zhǎng)度調(diào)整設(shè)計(jì)規(guī)則，并提供不同版本的20nm制程了。
如果聯(lián)電能及時(shí)提供20nm FinFET 低功耗制程，就能與對(duì)手做出重大區(qū)隔。而這或許也是該公司奪回近年來(lái)不斷被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手所搶占市場(chǎng)的關(guān)鍵所在。
每個(gè)人都知道，功耗是晶片制造商和電子產(chǎn)業(yè)中幾乎個(gè)一個(gè)人最關(guān)心的議題。若聯(lián)電能在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手都還沒(méi)準(zhǔn)備好時(shí)，就提供低功耗20nm FinFET制程，這對(duì)業(yè)界會(huì)是多么大的震撼？
英特爾負(fù)責(zé)制程技術(shù)研發(fā)的資深院士Mark Bohr對(duì)今年四月《EE Times》報(bào)導(dǎo)臺(tái)積電表示或許不打算提供低功耗20nm制程的報(bào)導(dǎo)所做出的反應(yīng)，是認(rèn)為晶片代工模式即將“崩潰” 。Bohr的看法可能過(guò)于偏激了。但他的出發(fā)點(diǎn)在于像美國(guó)高通這類無(wú)晶圓廠晶片業(yè)者，都會(huì)需要能盡可能降低晶片供耗的制程。
當(dāng)然，目前有關(guān)聯(lián)電的20nm FinFET仍然只是一個(gè)計(jì)劃。即使獲得IBM的技術(shù)，卻也無(wú)法保證新制程的開(kāi)發(fā)會(huì)一帆風(fēng)順。而聯(lián)電本身也尚未對(duì)客戶提供任何有關(guān)該技術(shù)的時(shí)間表。
然而，若一切依計(jì)劃進(jìn)行，則此舉將大幅強(qiáng)化聯(lián)電在代工領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。
臺(tái)積電(TSMC) 和Globalfoundries 都可算在2014或2015年時(shí)，于14nm 節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入3D FinFET元件。部份先進(jìn)代工客戶如Nvidia 則表示，他們希望代工廠能更快提供FinFET。因而部份業(yè)界人士猜測(cè)，臺(tái)積電和GlobalFoundries很可能會(huì)改變他們的發(fā)展藍(lán)圖，提前納入FinFET。
Globalfoundries 發(fā)言人表示，該公司已經(jīng)完成了完全耗盡型絕緣層上覆矽(SOI)技術(shù)的評(píng)估，預(yù)計(jì)2013年便可提供給客戶使用，而早期采用的客戶將可獲得該技術(shù)提供的性能優(yōu)勢(shì)?！拔覀兒皖I(lǐng)先客戶密切合作，以確保這項(xiàng)技術(shù)在成本、易于設(shè)計(jì)、微縮等方面都是最佳化的解決方案?！?br>英特爾(Intel)已開(kāi)始在22nm節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)采用其FinFET元件(或稱三閘極電晶體, tri-gate)的晶片。目前，許多領(lǐng)先的無(wú)晶圓廠公司們，都希望藉由該技術(shù)來(lái)改善功耗。(英特爾已公開(kāi)表示該公司正在為少數(shù)幾家規(guī)模較小的公司使用其22nm 3D技術(shù)生產(chǎn)晶片。但也有傳言指出，英特爾也正與其他數(shù)家公司就代工業(yè)務(wù)展開(kāi)合作，其中還包括一些重量級(jí)的無(wú)晶圓廠晶片業(yè)者)。
在20nm節(jié)點(diǎn)納入FinFET將使聯(lián)電在標(biāo)準(zhǔn)平面20nm制外，也有能力提供20nm制程的低功耗版本。無(wú)論是臺(tái)積電或Globalfoundries，都計(jì)劃提供低功耗20nm制程。今年四月，臺(tái)積電執(zhí)行副總暨共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)蔣尚義曾表示，20nm的關(guān)鍵尺寸幾乎沒(méi)有足夠空間來(lái)為不同閘極長(zhǎng)度調(diào)整設(shè)計(jì)規(guī)則，并提供不同版本的20nm制程了。
如果聯(lián)電能及時(shí)提供20nm FinFET 低功耗制程，就能與對(duì)手做出重大區(qū)隔。而這或許也是該公司奪回近年來(lái)不斷被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手所搶占市場(chǎng)的關(guān)鍵所在。
每個(gè)人都知道，功耗是晶片制造商和電子產(chǎn)業(yè)中幾乎個(gè)一個(gè)人最關(guān)心的議題。若聯(lián)電能在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手都還沒(méi)準(zhǔn)備好時(shí)，就提供低功耗20nm FinFET制程，這對(duì)業(yè)界會(huì)是多么大的震撼？
英特爾負(fù)責(zé)制程技術(shù)研發(fā)的資深院士Mark Bohr對(duì)今年四月《EE Times》報(bào)導(dǎo)臺(tái)積電表示或許不打算提供低功耗20nm制程的報(bào)導(dǎo)所做出的反應(yīng)，是認(rèn)為晶片代工模式即將“崩潰” 。Bohr的看法可能過(guò)于偏激了。但他的出發(fā)點(diǎn)在于像美國(guó)高通這類無(wú)晶圓廠晶片業(yè)者，都會(huì)需要能盡可能降低晶片供耗的制程。
當(dāng)然，目前有關(guān)聯(lián)電的20nm FinFET仍然只是一個(gè)計(jì)劃。即使獲得IBM的技術(shù)，卻也無(wú)法保證新制程的開(kāi)發(fā)會(huì)一帆風(fēng)順。而聯(lián)電本身也尚未對(duì)客戶提供任何有關(guān)該技術(shù)的時(shí)間表。
然而，若一切依計(jì)劃進(jìn)行，則此舉將大幅強(qiáng)化聯(lián)電在代工領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。
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