聯(lián)電獲IBM技術授權，20納米、finfet研發(fā)周期可望縮短

時間：2012-06-30 07:21:00

關鍵字： IBM 聯(lián)電 FINFET 聯(lián)華電子

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[導讀]聯(lián)電(2303)今日(29日)宣布已取得IBM所授權的技術，將以finfet 3d晶體管，促進次世代尖端20納米cmos制程的開發(fā)。雙方協(xié)議IBM將授權其20納米設計套件以及finfet技術給聯(lián)華電子，聯(lián)華電子將可運用這些技術，加快推出這些

聯(lián)電(2303)今日(29日)宣布已取得IBM所授權的技術，將以finfet 3d晶體管，促進次世代尖端20納米cmos制程的開發(fā)。雙方協(xié)議IBM將授權其20納米設計套件以及finfet技術給聯(lián)華電子，聯(lián)華電子將可運用這些技術，加快推出這些制程給客戶采用的時程。
聯(lián)華電子先進技術開發(fā)副總陳一浸博士表示，對于這次與世界知名技術領導者IBM所進行的協(xié)議，感到十分高興。聯(lián)華電子身為全球晶圓專工領導者，必須掌握先機適時推出尖端制程，以協(xié)助客戶實現(xiàn)其次世代芯片設計。而借重IBM的專業(yè)技術來縮減20納米與finfet研發(fā)周期，將可為聯(lián)華電子與客戶創(chuàng)造雙贏。

聯(lián)華電子與IBM兩家公司的協(xié)議內容，包括IBM的20納米cmos與finfet技術。聯(lián)華電子內部自行研發(fā)的20納米平面(planar)制程，將與IBM的設計規(guī)則與制程/元件目標同步，未來聯(lián)華電子的finfet技術，將針對行動運算與通訊產品，做為更強化的低耗電技術選項。此項研發(fā)將于聯(lián)華電子位于南科的研發(fā)中心進行。(編輯整理：李慧蘭)