ST與GLOBALFOUNDRIES簽訂28/20奈米FD-SOI技術(shù)代工協(xié)定

時(shí)間：2012-06-18 07:03:00

關(guān)鍵字： ST GLOBALFOUNDRIES 意法半導(dǎo)體元件

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[導(dǎo)讀]意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，ST)宣布，半導(dǎo)體代工廠商GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體獨(dú)有的FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator，完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件)技術(shù)為意法半導(dǎo)體生產(chǎn)28奈米和20

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，ST)宣布，半導(dǎo)體代工廠商GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體獨(dú)有的FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator，完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件)技術(shù)為意法半導(dǎo)體生產(chǎn)28奈米和20奈米晶片。

ST表示，現(xiàn)今的消費(fèi)者對(duì)智慧型手機(jī)和平板電腦的期望越來越高，除了要求能夠處理精美絕倫的圖片、支援多媒體和高速寬頻上網(wǎng)功能，同時(shí)不能犧牲電池壽命，在設(shè)備廠商滿足消費(fèi)者這些需求的努力中，意法半導(dǎo)體FD-SOI晶片的量產(chǎn)和上市將發(fā)揮至關(guān)重要的作用。

多媒體融合應(yīng)用需要兼具性能和能效的半導(dǎo)體技術(shù)。隨著晶片外觀尺寸不斷縮小，傳統(tǒng)技術(shù)無法使電晶體的性能和電池壽命同時(shí)達(dá)到最高水準(zhǔn)，無法在實(shí)現(xiàn)最高性能的同時(shí)確保溫度不超過安全限制。這解決的方法是采用FD-SOI技術(shù)，這種技術(shù)兼具最高性能、低工作功耗(在各種應(yīng)用中，在降低電源功率后的同時(shí)還能保持良好的性能)以及低待機(jī)功耗。

憑借其注重成本效益的平面型FD-SOI技術(shù)，意法半導(dǎo)體率先推出了28奈米的完全空乏型元件。為FD-SOI貨源提供雙重保障，意法半導(dǎo)體與GLOBALFOUNDRIES簽訂了代工協(xié)定，以補(bǔ)充意法半導(dǎo)體位于法國(guó)Crolles工廠的產(chǎn)能。28奈米FD-SOI元件目前已商用化，預(yù)計(jì)于2012年7月前投入原型設(shè)計(jì)；而20奈米FD-SOI元件目前處于研發(fā)階段，預(yù)計(jì)于2013年第三季投入原型設(shè)計(jì)。

意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)已被ST-Ericsson用于下一代行動(dòng)平臺(tái)，這項(xiàng)技術(shù)將讓ST-Ericsson的NovaThor平臺(tái)具有更高的性能和更低的功耗，在發(fā)揮最高性能的同時(shí)降低功耗達(dá)35%。意法半導(dǎo)體也計(jì)劃對(duì)GLOBALFOUNDRIES的其它客戶開放FD-SOI技術(shù)，讓他們能夠采用目前最先進(jìn)的28奈米和20奈米技術(shù)研發(fā)產(chǎn)品。