高通下單 聯(lián)電拉高資本支出

晶圓代工廠聯(lián)電昨（8）日召開法說會(huì)，決定調(diào)升今年資本支出至20億美元，讓與會(huì)法人大感意外。聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示，因?yàn)榭春眯袆?dòng)裝置芯片需求，且為了承諾客戶提供足夠的40納米及28納米產(chǎn)能，所以才決定提高今年資本支出。

據(jù)了解，聯(lián)電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單。

聯(lián)電去年原訂資本支出為18億美元，但實(shí)際支出為16億美元，其中2億美元遞延到今年，聯(lián)電因獲得高通及德儀等大客戶行動(dòng)裝置芯片訂單，要建置足夠的40納米及28納米產(chǎn)能，所以今年資本支出合計(jì)將拉高到20億美元、年增25％。

法人表示，相較于臺(tái)積電將資本支出由去年的72.86億美元，調(diào)降到今年60億美元，減幅約達(dá)18％，聯(lián)電在景氣不確定性仍高的此刻，逆勢(shì)拉高資本支出，代表聯(lián)電已成功提高行動(dòng)裝置芯片的滲透率，對(duì)訂單掌握度也愈來愈高。

孫世偉昨天表示，聯(lián)電樂觀看待未來移動(dòng)通信與運(yùn)算市場(chǎng)的高階芯片需求，為積極掌握這一絕佳的機(jī)會(huì)，完整布建40納米及28納米解決方案，持續(xù)與領(lǐng)先客戶合作以爭(zhēng)取更多旗艦產(chǎn)品，并承諾提供充分產(chǎn)能，所以今年資本支出將增加到20億美元。

孫世偉強(qiáng)調(diào)，聯(lián)電并不盲目擴(kuò)充產(chǎn)能，此投資計(jì)劃經(jīng)過審慎評(píng)估，完整考量聯(lián)電在不同階段下高階制程成熟程度，以及客戶產(chǎn)能需求，以現(xiàn)階段28納米與客戶的合作進(jìn)展及強(qiáng)烈需求，相信在量產(chǎn)技術(shù)就位后將帶來豐厚的收獲。

聯(lián)電預(yù)估，今年底40納米占營(yíng)收比重將達(dá)15％，28納米亦可達(dá)到5％，聯(lián)電已完成10項(xiàng)28納米芯片設(shè)計(jì)定案（tape-out），其中一顆28納米的ARM架構(gòu)應(yīng)用處理器已開始送樣。據(jù)了解，這顆芯片是德儀最新款OMAP 5多核心應(yīng)用處理器。

另外，聯(lián)電也開始布建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，并為客戶完成40納米及28納米制程矽中介層設(shè)計(jì)定案。孫世偉表示，聯(lián)電與封測(cè)廠將建立開放式技術(shù)平臺(tái)，以提供最適切的服務(wù)，與爾必達(dá)及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術(shù)已有很好的成果。