攜手TEL　ASML催生EUV微影量產(chǎn)系統(tǒng)

時間：2011-12-02 05:28:00

關(guān)鍵字： ASML TE EUV 力科

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[導(dǎo)讀]艾司摩爾(ASML)宣布與東京威力科創(chuàng)(TEL)簽署合作協(xié)議，以加快極紫外光微影(EUV Lithography)設(shè)備商用進展。根據(jù)協(xié)議，東京威力科創(chuàng)將提供最新的EUV涂布機(Coater)和顯影機(Developer)給艾司摩爾，并共同研究提高EUV微

艾司摩爾(ASML)宣布與東京威力科創(chuàng)(TEL)簽署合作協(xié)議，以加快極紫外光微影(EUV Lithography)設(shè)備商用進展。根據(jù)協(xié)議，東京威力科創(chuàng)將提供最新的EUV涂布機(Coater)和顯影機(Developer)給艾司摩爾，并共同研究提高EUV微影制程量產(chǎn)速度的解決之道。

ASML表示，此項加速共同開發(fā)協(xié)議是為滿足客戶對EUV設(shè)備日益殷切的需求，期能在22奈米或更小制程節(jié)點導(dǎo)入此一設(shè)備，順利量產(chǎn)下世代晶片。

事實上，過去幾年，艾司摩爾與東京威力科創(chuàng)在EUV基礎(chǔ)技術(shù)方面已有共同研發(fā)的經(jīng)驗。此次，加速共同開發(fā)協(xié)議將在過去基礎(chǔ)上，更進一步展開合作。東京威力科創(chuàng)將在艾司摩爾位于荷蘭Veldhoven的研發(fā)基地，裝設(shè)最新的EUV涂布機和顯影機，并合力在2012年底完成22奈米及以下節(jié)點的EUV制程開發(fā)。研發(fā)重心主要將聚焦于降低線寬粗糙度(Line Width Roughness)、減少顯影圖案損壞(Pattern Collapse)、缺陷控制和改善關(guān)鍵尺寸(Critical Dimension, CD)一致性等重要環(huán)節(jié)。

除EUV制程技術(shù)的突破外，艾司摩爾與東京威力科創(chuàng)也將針對現(xiàn)今仍相當(dāng)普遍的ArF浸潤式微影制程進行改善，進一步提高其每日晶圓產(chǎn)出量至四千片以上。