借力ISDA聯(lián)盟　ST自創(chuàng)28奈米制程明年量產(chǎn)

半導(dǎo)體市場自2012年開始將進(jìn)入28奈米產(chǎn)品傾巢而出的階段，為強(qiáng)化產(chǎn)品競爭力，整合元件制造商(IDM)意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)已藉由加入半導(dǎo)體技術(shù)聯(lián)盟的方式，研發(fā)出專屬的28奈米制程技術(shù)，并預(yù)計(jì)于明年底開始量產(chǎn)。

意法半導(dǎo)體資深執(zhí)行副總裁暨技術(shù)長Jean-Marc Chery表示，該公司獨(dú)有的半導(dǎo)體制程技術(shù)，不論效能或成本效益均極出色。
意法半導(dǎo)體資深執(zhí)行副總裁暨技術(shù)長Jean-Marc Chery表示，為持續(xù)掌握更先進(jìn)的制程技術(shù)，該公司先前已加入PreT0與ISDA兩大互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)聯(lián)盟，前者主要專注于先進(jìn)CMOS技術(shù)研究；后者則致力于32、28與20奈米(nm)以下基體(Bulk)與低功耗(LP)技術(shù)開發(fā)，藉此即時(shí)獲得可實(shí)際量產(chǎn)的先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)。

目前意法半導(dǎo)體以在ISDA聯(lián)盟的技術(shù)基礎(chǔ)上，自行發(fā)展出新的28奈米CMOS制程技術(shù)，包括28奈米閘極優(yōu)先(Gate First)CMOS28LP與FD-SOI。Chery指出，在ISDA聯(lián)盟的技術(shù)中，為了讓晶片擁有低功耗與高效能，得分別采用LP與GP電晶體制程平臺，導(dǎo)致廠商得花費(fèi)更大的成本，且采用低功耗制程的中央處理器(CPU)，雖然泄漏功耗較低，但在高效運(yùn)行時(shí)功耗卻會隨之提升，而采用快速制程的CPU在待機(jī)時(shí)泄漏功耗較高；而意法半導(dǎo)體的Gate First與FD-SOI技術(shù)則可解決上述問題，且產(chǎn)品還具備較低成本的特性。

Chery透露，意法半導(dǎo)體自行研發(fā)的28奈米制程，預(yù)計(jì)將于2012年初開始試產(chǎn)，預(yù)計(jì)明年底即可上線量產(chǎn)，主要將先用于應(yīng)用處理器的生產(chǎn)。至于制造產(chǎn)能，初期將以意法半導(dǎo)體自家晶圓廠為主，待未來需求量攀升后再和臺積電展開合作，藉委外代工擴(kuò)增產(chǎn)能。

另外，在20奈米節(jié)點(diǎn)以下的關(guān)鍵技術(shù)除FD-SOI外，還包括鰭式場效電晶體(FinFET)，Chery認(rèn)為，20奈米以下的制程技術(shù)已不同以往，將遭遇電晶體架構(gòu)與微影技術(shù)難題，業(yè)者需要有更大的技術(shù)改變與新的制程設(shè)備，也因此三維(3D)電晶體堆疊的FinFET與2D電晶體加上FD-SOI技術(shù)遂被提出，而意法半導(dǎo)體在28奈米即率先采用FD-SOI，所以，未來發(fā)展20奈米以下制程技術(shù)時(shí)，該公司將可更順利解決技術(shù)難關(guān)。

據(jù)了解，目前在邏輯元件有能力采用FinFET的業(yè)者主要包括英特爾(Intel)、臺積電，以及ISDA聯(lián)盟中的意法半導(dǎo)體、三星(Samsung)和IBM。