沖成公司代理引進(jìn)更高階精密設(shè)備 協(xié)助客戶提升制程良率
[導(dǎo)讀]全球消費(fèi)性電子產(chǎn)品趨勢(shì)不斷朝向輕、薄、短、小及高效能發(fā)展，因此隨著其快速演進(jìn)的過程，廠商必須不斷地開發(fā)先進(jìn)且高效能的晶片制程與技術(shù)。此外，良率更關(guān)系著成本與獲利的關(guān)鍵。因此透過更精密的儀器及高科技的設(shè)
全球消費(fèi)性電子產(chǎn)品趨勢(shì)不斷朝向輕、薄、短、小及高效能發(fā)展，因此隨著其快速演進(jìn)的過程，廠商必須不斷地開發(fā)先進(jìn)且高效能的晶片制程與技術(shù)。此外，良率更關(guān)系著成本與獲利的關(guān)鍵。因此透過更精密的儀器及高科技的設(shè)備，提高生產(chǎn)制程上的良率，才有機(jī)會(huì)在不景氣中脫穎而出，打敗競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，讓危機(jī)變?yōu)檗D(zhuǎn)機(jī)，這也是各半導(dǎo)體大廠持續(xù)努力的目標(biāo)。
積體電路制程在愈做愈小的趨勢(shì)下，層與層之間疊對(duì)是否精準(zhǔn)，線寬尺寸誤差是否在可容許的范圍內(nèi)，都會(huì)深刻影響積體電路的良率和性能表現(xiàn)，所以必須有先進(jìn)的量測(cè)技術(shù)加以檢視、驗(yàn)證，并提供數(shù)據(jù)作為技術(shù)改善的依據(jù)。良率的提升對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說是相當(dāng)重要的，舉例來說，若某公司每年約產(chǎn)出10億顆記憶體晶粒，假使良率提升1%，則表示該公司在一樣的生產(chǎn)條件下，不增加資本投入，每年便可多出1,000萬顆記憶體晶粒，以每顆記憶體晶粒2美元計(jì)算，整年度之盈余便可多出2,000萬美元。
ISIS專精于非接觸式精密量測(cè)機(jī)臺(tái)的研發(fā)與生產(chǎn)，在高精密度量測(cè)方面有非常獨(dú)到的專利與技術(shù)，因此沖成特別代理引進(jìn)ISIS量測(cè)機(jī)臺(tái)。ISIS之非接觸厚度量測(cè)系統(tǒng)，是以紅外線折射的方式，非破壞性地量測(cè)被測(cè)物。透過多次穿透的折射方式可同時(shí)量測(cè)多層被測(cè)物(Multi layer)，并可以2D & 3D圖畫方式呈現(xiàn)數(shù)據(jù)，讓使用者方便判讀。除此之外，其精準(zhǔn)度(Accuracy)亦達(dá)到0.2μm，重復(fù)性(Repeatability)更可達(dá)0.1μm(3 sigma)。ISIS儀器所能量測(cè)的材質(zhì)包括Silicon、SiC、InGaAs、InP、TFT Glass/ Ceramics、SOI、Polyimide、Photoresist(spin coating)等。
除此之外，沖成代理之E+H也是提升良率的重要檢驗(yàn)儀器，從2寸到18寸的晶圓都有其對(duì)應(yīng)機(jī)型。來自德國(guó)的E+H同樣在精密量測(cè)上有傲人成績(jī)與歷史。E+H電容式量測(cè)儀器在晶圓(Wafer)的量測(cè)上深受半導(dǎo)體制程上的肯定，包括厚度(Thickness)、翹曲度(Warp)、應(yīng)力(Stress)、TTV等，都能準(zhǔn)確、快速地測(cè)量出數(shù)據(jù)，匯出的2D與3D圖，讓RD人員在研發(fā)上有所依據(jù)，產(chǎn)線人員亦可迅速檢驗(yàn)并提升良率。以MX203機(jī)型為例，最快5秒即可量測(cè)1片wafer。
沖成公司多年來一直致力于提供最好的服務(wù)，秉持著「客戶的成功就是沖成的希望」之宗旨，除代理先進(jìn)的設(shè)備，并以專業(yè)的形象及優(yōu)質(zhì)敬業(yè)的售后服務(wù)與客戶一同成長(zhǎng)。為了讓業(yè)界更認(rèn)識(shí)了解，沖成積極參與每一年度的半導(dǎo)體展。在SEMICON Taiwan 2011的「創(chuàng)新技術(shù)發(fā)表會(huì)」中，沖成將介紹ISIS之最新技術(shù)，主題為「Achieve All-In-One Measurement with Same Machine」，發(fā)表會(huì)時(shí)間為2011年9月7日12:30~13:00于3052攤位。沖成公司SEMICON Taiwan 2011攤位位于世貿(mào)一館708。
積體電路制程在愈做愈小的趨勢(shì)下，層與層之間疊對(duì)是否精準(zhǔn)，線寬尺寸誤差是否在可容許的范圍內(nèi)，都會(huì)深刻影響積體電路的良率和性能表現(xiàn)，所以必須有先進(jìn)的量測(cè)技術(shù)加以檢視、驗(yàn)證，并提供數(shù)據(jù)作為技術(shù)改善的依據(jù)。良率的提升對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說是相當(dāng)重要的，舉例來說，若某公司每年約產(chǎn)出10億顆記憶體晶粒，假使良率提升1%，則表示該公司在一樣的生產(chǎn)條件下，不增加資本投入，每年便可多出1,000萬顆記憶體晶粒，以每顆記憶體晶粒2美元計(jì)算，整年度之盈余便可多出2,000萬美元。
ISIS專精于非接觸式精密量測(cè)機(jī)臺(tái)的研發(fā)與生產(chǎn)，在高精密度量測(cè)方面有非常獨(dú)到的專利與技術(shù)，因此沖成特別代理引進(jìn)ISIS量測(cè)機(jī)臺(tái)。ISIS之非接觸厚度量測(cè)系統(tǒng)，是以紅外線折射的方式，非破壞性地量測(cè)被測(cè)物。透過多次穿透的折射方式可同時(shí)量測(cè)多層被測(cè)物(Multi layer)，并可以2D & 3D圖畫方式呈現(xiàn)數(shù)據(jù)，讓使用者方便判讀。除此之外，其精準(zhǔn)度(Accuracy)亦達(dá)到0.2μm，重復(fù)性(Repeatability)更可達(dá)0.1μm(3 sigma)。ISIS儀器所能量測(cè)的材質(zhì)包括Silicon、SiC、InGaAs、InP、TFT Glass/ Ceramics、SOI、Polyimide、Photoresist(spin coating)等。
除此之外，沖成代理之E+H也是提升良率的重要檢驗(yàn)儀器，從2寸到18寸的晶圓都有其對(duì)應(yīng)機(jī)型。來自德國(guó)的E+H同樣在精密量測(cè)上有傲人成績(jī)與歷史。E+H電容式量測(cè)儀器在晶圓(Wafer)的量測(cè)上深受半導(dǎo)體制程上的肯定，包括厚度(Thickness)、翹曲度(Warp)、應(yīng)力(Stress)、TTV等，都能準(zhǔn)確、快速地測(cè)量出數(shù)據(jù)，匯出的2D與3D圖，讓RD人員在研發(fā)上有所依據(jù)，產(chǎn)線人員亦可迅速檢驗(yàn)并提升良率。以MX203機(jī)型為例，最快5秒即可量測(cè)1片wafer。
沖成公司多年來一直致力于提供最好的服務(wù)，秉持著「客戶的成功就是沖成的希望」之宗旨，除代理先進(jìn)的設(shè)備，并以專業(yè)的形象及優(yōu)質(zhì)敬業(yè)的售后服務(wù)與客戶一同成長(zhǎng)。為了讓業(yè)界更認(rèn)識(shí)了解，沖成積極參與每一年度的半導(dǎo)體展。在SEMICON Taiwan 2011的「創(chuàng)新技術(shù)發(fā)表會(huì)」中，沖成將介紹ISIS之最新技術(shù)，主題為「Achieve All-In-One Measurement with Same Machine」，發(fā)表會(huì)時(shí)間為2011年9月7日12:30~13:00于3052攤位。沖成公司SEMICON Taiwan 2011攤位位于世貿(mào)一館708。
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