因應(yīng)3D IC潮流　志圣推出創(chuàng)新式晶圓壓膜技術(shù)

時(shí)間：2011-09-07 07:28:00

關(guān)鍵字：晶圓 IC 半導(dǎo)體 POS

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[導(dǎo)讀]設(shè)備大廠志圣工業(yè)在2011年臺(tái)灣半導(dǎo)體展中將針對(duì)3D IC Interposer干式制程，展示創(chuàng)新晶圓壓膜機(jī)，以迎合未來(lái)的3D IC時(shí)代潮流。志圣表示，透過(guò)在IC載板的真空壓膜技術(shù)，將其運(yùn)用在半導(dǎo)體制程，使晶圓光阻制程中有更好的

設(shè)備大廠志圣工業(yè)在2011年臺(tái)灣半導(dǎo)體展中將針對(duì)3D IC Interposer干式制程，展示創(chuàng)新晶圓壓膜機(jī)，以迎合未來(lái)的3D IC時(shí)代潮流。志圣表示，透過(guò)在IC載板的真空壓膜技術(shù)，將其運(yùn)用在半導(dǎo)體制程，使晶圓光阻制程中有更好的良率，節(jié)省成本，并縮短3分之1的生產(chǎn)時(shí)間，在矽中介層(Si-Interposer)制程中可適用于成型(Molding)、重布線(RDL)及非導(dǎo)電膠膜(NCF)等，可有效簡(jiǎn)化多道制程。

志圣的壓膜設(shè)備量產(chǎn)至今已銷售超過(guò)1,000臺(tái)以上，該公司將于半導(dǎo)體展中，針對(duì)3DIC矽中介層的干式制程，展出全新自動(dòng)晶圓壓膜機(jī)。志圣
由于終端產(chǎn)品趨勢(shì)走向輕薄短小，晶片封裝需要縮小體積尺寸，并且講究多功能整合需求，因此3D IC制程格外重要。隨著3D封裝技術(shù)發(fā)展，品質(zhì)與成本問題成為產(chǎn)品能否大量進(jìn)入商業(yè)化的關(guān)鍵，因此矽中介層成為關(guān)鍵制程，確保制程中的矽中介層晶圓良率便相形重要。

志圣將于7~9日在臺(tái)灣半導(dǎo)體展中，展示全新的真空晶圓壓膜機(jī)及電漿蝕刻機(jī)設(shè)備。志圣表示，真空晶圓壓膜機(jī)在矽中介層制程及相關(guān)重新布線(RDL)技術(shù)上，可以發(fā)揮極佳的功能。在矽中介層制程中，晶圓壓膜機(jī)可以完成應(yīng)用于以下工序，包括以干膜替代原有的濕膜光阻(Photo Risist)功能；在UBM的工序中，以干膜做為光阻功能；在成型工序中，以干膜取代環(huán)氧樹脂；在RDL工序中，以干膜取代濕式涂布；在底部填充(underfill)工序中，以干膜取代濕膠。另外，在矽中介層制程后的覆晶封裝、基板黏合IC的工序中，志圣真空壓膜機(jī)可以導(dǎo)入NCF制程中，進(jìn)而減少工序及增加良率的創(chuàng)新制程工法。

志圣指出，3D IC的干式制程可以比濕制程快3倍的原因，在于干式壓膜可以將干膜裁切得比晶圓小，在壓膜后不必再做裁切邊緣的制程，省去晶邊清洗(EBR)的制程及時(shí)間，減少一個(gè)制程工序，也降低產(chǎn)生不良品的機(jī)率。

此外，志圣運(yùn)用高階的吸真空后再壓膜的技術(shù)與流程，讓干膜與晶圓間完全沒有空隙，不會(huì)因滾輪壓膜所產(chǎn)生空隙及氣泡的不良，亦解決使用晶圓對(duì)晶圓(WTW)黏合機(jī)的溢膠和較長(zhǎng)制程時(shí)間等問題產(chǎn)生。