[導讀]美國半導體產業(yè)協(xié)會(SIA)日前公布了 2011年第一季的晶圓制造產能統(tǒng)計報告(SICAS)，相關顯示大多數(shù)區(qū)域的晶圓廠產能利用率都在九成以上，整體半導體產能利用率為93.7%；事實上，半導體產業(yè)產能在第一季仍接近售罄的狀
美國半導體產業(yè)協(xié)會(SIA)日前公布了 2011年第一季的晶圓制造產能統(tǒng)計報告(SICAS)，相關顯示大多數(shù)區(qū)域的晶圓廠產能利用率都在九成以上，整體半導體產能利用率為93.7%；事實上，半導體產業(yè)產能在第一季仍接近售罄的狀態(tài)。
這一次SIA的晶圓制造產能統(tǒng)計報告公布時間比平常晚了很多，通常第一季報告會在5月中或是5月底出爐；SIA并沒有解釋報告公布延遲的原因，但值得注意的是，SIA數(shù)據表格中很多前一季的數(shù)字都有更動。這意味著該報告可能在 2011年第一季與 2010年第四季的數(shù)據比較上出現(xiàn)問題，得做一些確認與更正。
2010年第四季的統(tǒng)計數(shù)據變動最多的，是在MOS制程技術中介于200奈米至120奈米節(jié)點之間的項目(主要是0.18微米、0.15微米與0.13微米制程)；此外還有晶圓代工廠的相關數(shù)據。
根據SICAS報告，全球 2011年第一季晶圓廠產能利用率為93.7%，上一季數(shù)據則為92.9%，但新舊制程節(jié)點，以及8寸、12寸晶圓廠的產能利用率狀況大相逕庭。0.13微米以上制程的產能利用率在80~90%之間；其中尖端的65奈米制程節(jié)點產能利用率則較上一季的97%，微幅滑落到95.8%。
60奈米以下制程節(jié)點產能達到每周9,875K片初始晶圓，較一年前同期成長了38.9%；整體初始晶圓產能在第一季成長了41%，產能利用率為98.9%。至于第一季整體8寸晶圓產能利用率為89.6%， 12寸晶圓產能利用率則為97%。
第一季晶圓代工廠產能在整體半導體制造產能中，占據19.6%的比例，產能穩(wěn)定成長為每周441.9k片晶圓，較去年同期成長15%；整體晶圓代工廠產能利用率為97.0%。
編譯：Judith Cheng
(參考原文： SIA releases Q1 SICAS fab capacity report，by Peter Clarke)
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