Ramtron宣布IBM代工芯片樣品進(jìn)入送樣/客戶驗(yàn)證階段
[導(dǎo)讀]經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的等待之后，鐵電體內(nèi)存（FRAM）廠商Ramtron公司終于宣布其委托IBM代工的首批樣品驗(yàn)證用FRAM芯片已經(jīng)制作測(cè)試完成，開(kāi)始進(jìn)入樣件送樣/客戶驗(yàn)證階段。
資料：Ramtron的鐵電體產(chǎn)品存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)
經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的等待之后，鐵電體內(nèi)存（FRAM）廠商Ramtron公司終于宣布其委托IBM代工的首批樣品驗(yàn)證用FRAM芯片已經(jīng)制作測(cè)試完成，開(kāi)始進(jìn)入樣件送樣/客戶驗(yàn)證階段。
資料：Ramtron的鐵電體產(chǎn)品存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)
2009年，Ramtron與IBM公司達(dá)成代工FRAM芯片的協(xié)議，按照雙方原來(lái)的計(jì)劃，準(zhǔn)備在2010年使用IBM的0.18微米制程制作出首批FRAM樣品芯片。然而，IBM公司在后來(lái)的研發(fā)制造過(guò)程中遇到許多問(wèn)題，無(wú)法成功提升這款產(chǎn)品的產(chǎn)量，導(dǎo)致了這項(xiàng)計(jì)劃的延遲。
上個(gè)月，Ramtron公司CEO Eric Balzer承認(rèn)公司的FRAM客戶已經(jīng)對(duì)這次延遲感到不滿，不過(guò)他表示這些客戶中的大多數(shù)并不會(huì)棄Ramtron而去，同時(shí)他還表示Ramtron本身今年一季度的銷(xiāo)售業(yè)績(jī)也因此而受損嚴(yán)重。
現(xiàn)在他們終于渡過(guò)了最困難的時(shí)期。本周三，Balzer在一份公司聲明中說(shuō)：“發(fā)布FM24C04C和FM24C16C兩款FRAM芯片樣品對(duì)我們的新代工項(xiàng)目有里程碑式的意義。 ”
據(jù)Ramtron公司表示，F(xiàn)M24C04C和FM24C16C兩款FRAM均屬同一系列產(chǎn)品，產(chǎn)品采用串行I2C接口，IO電壓5V，F(xiàn)RAM的位密度則分別為4kbit和16kbit?？蔀殡娮釉O(shè)備提供高性能的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案，公司還稱其FRAM產(chǎn)品在寫(xiě)入時(shí)間，讀寫(xiě)周期耐久性和省電性能方面相比其它的產(chǎn)品更勝一籌。
Ramtron公司CEO Balzer說(shuō)：“這次送樣的預(yù)驗(yàn)證用產(chǎn)品可以滿足我們制定的性能指標(biāo)要求，并符合守我們嚴(yán)格質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的要求，現(xiàn)在這批樣品已經(jīng)可以交付客戶做產(chǎn)品驗(yàn)證用途。更多的FRAM產(chǎn)品，如3V電壓，I2C接口的產(chǎn)品以及5V電壓，SPI接口的產(chǎn)品則很快會(huì)在我們完成內(nèi)部測(cè)試之后對(duì)外交付驗(yàn)證用樣品?！盉alzer是在今年一月份頂替辭職的前任Bill Staunton出任公司CEO的。
FM24C04C和FM24C16C采用的是串行I2C總線接口界面，工作電流100uA（在100kHz總線工作頻率下），總線接口運(yùn)行頻率最高可達(dá)1MHz。這兩款產(chǎn)品將直接替代公司現(xiàn)有的4kbit/16kbit密度串行接口EEPROM存儲(chǔ)芯片，被應(yīng)用到工控，測(cè)量設(shè)備，醫(yī)療，軍用，計(jì)算機(jī)，游戲機(jī)等應(yīng)用場(chǎng)合。
FM24C04C和FM24C16C采用標(biāo)準(zhǔn)的8針SOIC封裝形式，工作溫度-40°C至+85°C，另外，Ramtron公司還宣稱FM24CxxC系列產(chǎn)品的單字節(jié)寫(xiě)入時(shí)間可比EEPPROM產(chǎn)品快200倍左右。
2009年IBM與Ramtron達(dá)成代工協(xié)議后，IBM在其位于Burlington的芯片廠中采用Ramtron開(kāi)發(fā)的制程技術(shù)為其代工FRAM產(chǎn)品。除了IBM之外，Ramtron還與德州儀器，日本富士通兩家公司也簽署了代工FRAM的合約，不過(guò)后來(lái)日本富士通由于種種原因已經(jīng)被Ramtron開(kāi)除出列。
CNBeta編譯
原文：eetimes
資料：Ramtron的鐵電體產(chǎn)品存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)
2009年，Ramtron與IBM公司達(dá)成代工FRAM芯片的協(xié)議，按照雙方原來(lái)的計(jì)劃，準(zhǔn)備在2010年使用IBM的0.18微米制程制作出首批FRAM樣品芯片。然而，IBM公司在后來(lái)的研發(fā)制造過(guò)程中遇到許多問(wèn)題，無(wú)法成功提升這款產(chǎn)品的產(chǎn)量，導(dǎo)致了這項(xiàng)計(jì)劃的延遲。
上個(gè)月，Ramtron公司CEO Eric Balzer承認(rèn)公司的FRAM客戶已經(jīng)對(duì)這次延遲感到不滿，不過(guò)他表示這些客戶中的大多數(shù)并不會(huì)棄Ramtron而去，同時(shí)他還表示Ramtron本身今年一季度的銷(xiāo)售業(yè)績(jī)也因此而受損嚴(yán)重。
現(xiàn)在他們終于渡過(guò)了最困難的時(shí)期。本周三，Balzer在一份公司聲明中說(shuō)：“發(fā)布FM24C04C和FM24C16C兩款FRAM芯片樣品對(duì)我們的新代工項(xiàng)目有里程碑式的意義。 ”
據(jù)Ramtron公司表示，F(xiàn)M24C04C和FM24C16C兩款FRAM均屬同一系列產(chǎn)品，產(chǎn)品采用串行I2C接口，IO電壓5V，F(xiàn)RAM的位密度則分別為4kbit和16kbit?？蔀殡娮釉O(shè)備提供高性能的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案，公司還稱其FRAM產(chǎn)品在寫(xiě)入時(shí)間，讀寫(xiě)周期耐久性和省電性能方面相比其它的產(chǎn)品更勝一籌。
Ramtron公司CEO Balzer說(shuō)：“這次送樣的預(yù)驗(yàn)證用產(chǎn)品可以滿足我們制定的性能指標(biāo)要求，并符合守我們嚴(yán)格質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的要求，現(xiàn)在這批樣品已經(jīng)可以交付客戶做產(chǎn)品驗(yàn)證用途。更多的FRAM產(chǎn)品，如3V電壓，I2C接口的產(chǎn)品以及5V電壓，SPI接口的產(chǎn)品則很快會(huì)在我們完成內(nèi)部測(cè)試之后對(duì)外交付驗(yàn)證用樣品?！盉alzer是在今年一月份頂替辭職的前任Bill Staunton出任公司CEO的。
FM24C04C和FM24C16C采用的是串行I2C總線接口界面，工作電流100uA（在100kHz總線工作頻率下），總線接口運(yùn)行頻率最高可達(dá)1MHz。這兩款產(chǎn)品將直接替代公司現(xiàn)有的4kbit/16kbit密度串行接口EEPROM存儲(chǔ)芯片，被應(yīng)用到工控，測(cè)量設(shè)備，醫(yī)療，軍用，計(jì)算機(jī)，游戲機(jī)等應(yīng)用場(chǎng)合。
FM24C04C和FM24C16C采用標(biāo)準(zhǔn)的8針SOIC封裝形式，工作溫度-40°C至+85°C，另外，Ramtron公司還宣稱FM24CxxC系列產(chǎn)品的單字節(jié)寫(xiě)入時(shí)間可比EEPPROM產(chǎn)品快200倍左右。
2009年IBM與Ramtron達(dá)成代工協(xié)議后，IBM在其位于Burlington的芯片廠中采用Ramtron開(kāi)發(fā)的制程技術(shù)為其代工FRAM產(chǎn)品。除了IBM之外，Ramtron還與德州儀器，日本富士通兩家公司也簽署了代工FRAM的合約，不過(guò)后來(lái)日本富士通由于種種原因已經(jīng)被Ramtron開(kāi)除出列。
CNBeta編譯
原文：eetimes
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