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[導(dǎo)讀]臺(tái)灣晶圓代工巨頭臺(tái)積電的一名高管表示,目前臺(tái)積電對(duì)28納米(nm)工藝的IC設(shè)計(jì)極為重視,投入是之前40納米工藝準(zhǔn)備期同階段產(chǎn)品數(shù)量的三倍多?!爸悄苁謾C(jī)與平板電腦是新的殺手級(jí)應(yīng)用,”臺(tái)積電歐洲區(qū)總裁Maria Marced

臺(tái)灣晶圓代工巨頭臺(tái)積電的一名高管表示,目前臺(tái)積電對(duì)28納米(nm)工藝的IC設(shè)計(jì)極為重視,投入是之前40納米工藝準(zhǔn)備期同階段產(chǎn)品數(shù)量的三倍多。

“智能手機(jī)與平板電腦是新的殺手級(jí)應(yīng)用,”臺(tái)積電歐洲區(qū)總裁Maria Marced表示,“我們預(yù)見到了28納米工藝設(shè)計(jì)爆發(fā)的局面,目前我們有89款28nm產(chǎn)品已經(jīng)或即將流片。”她說,臺(tái)積電占有全世界90%的28nm產(chǎn)品方案。

Marced還表示,臺(tái)積電目前已經(jīng)開始向部分客戶出貨28nm硅片?!耙苿?dòng)互聯(lián)網(wǎng)在同樣性能的前提下,要求更低的功耗?!迸_(tái)積電(臺(tái)灣新竹)在28nm工藝上正在提供高k金屬柵極工藝(HKMG)和傳統(tǒng)的多晶硅工藝,而下一代20nm產(chǎn)品預(yù)計(jì)在2012年下半年就會(huì)量產(chǎn)?!?/p>

但是,臺(tái)積電至少要等到14納米節(jié)點(diǎn)才會(huì)采用FinFET技術(shù)。據(jù)說該技術(shù)對(duì)于移動(dòng)應(yīng)用非常有利。這與英特爾相反。英特爾最近宣布把FinFET用于其1270制程(22納米)。1270制程已開始進(jìn)行生產(chǎn),而今年下半年晚些時(shí)候,位于亞利桑那的F32工廠將開始量產(chǎn)。英特爾把FinFET稱為三柵技術(shù)。

這將使英特爾在工藝尺寸方面領(lǐng)先臺(tái)積電一年左右,而在采用FinFET工藝方面則領(lǐng)先更長時(shí)間。據(jù)說FinFET在這些更小的節(jié)點(diǎn)上,可以提供比平面晶體管更好的功耗性能。

Maria Marced表示,英特爾是一家垂直整合型企業(yè),控制了設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試的所有環(huán)節(jié),因此能夠比臺(tái)積電更快地采用FinFET技術(shù)?!拔覀冃枰却鼺inFET的生態(tài)系統(tǒng)建立,其中包括設(shè)計(jì)工具、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、設(shè)計(jì)套件等等。對(duì)于我們來說,20nm仍會(huì)是平面晶體管。”

Marced認(rèn)為,智能手機(jī)/平板電腦殺手級(jí)應(yīng)用方面的設(shè)計(jì)數(shù)量激增,是臺(tái)積電2011年增長速度將超過整體代工產(chǎn)業(yè)的原因之一。臺(tái)積電計(jì)劃2011年實(shí)現(xiàn)營收增長20%,但預(yù)計(jì)整體產(chǎn)業(yè)增長15%。同時(shí),臺(tái)積電認(rèn)為整體半導(dǎo)體市場(chǎng)將僅增長2%。



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