GLOBALFOUNDRIES參加IMEC研發(fā)項(xiàng)目，將開(kāi)發(fā)22nm CMOS及GaN on Si技術(shù)

時(shí)間：2011-04-07 06:06:00

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[導(dǎo)讀]比利時(shí)IMEC宣布，美國(guó)GLOBALFOUNDRIES公司將參加該研究所的研發(fā)項(xiàng)目。發(fā)布資料顯示，GLOBALFOUNDRIES已在有關(guān)（1）22nm節(jié)點(diǎn)制程CMOS技術(shù)、（2）硅（Si）上氮化鎵（GaN）技術(shù)（GaN on Si技術(shù)）的戰(zhàn)略性長(zhǎng)期合作協(xié)議上

比利時(shí)IMEC宣布，美國(guó)GLOBALFOUNDRIES公司將參加該研究所的研發(fā)項(xiàng)目。發(fā)布資料顯示，GLOBALFOUNDRIES已在有關(guān)（1）22nm節(jié)點(diǎn)制程CMOS技術(shù)、（2）硅（Si）上氮化鎵（GaN）技術(shù)（GaN on Si技術(shù)）的戰(zhàn)略性長(zhǎng)期合作協(xié)議上簽了字。

22nm節(jié)點(diǎn)制程CMOS技術(shù)開(kāi)發(fā)項(xiàng)目以開(kāi)發(fā)未來(lái)量產(chǎn)邏輯IC及存儲(chǔ)器所采用的工藝為目的。包括材料與元件構(gòu)造的研究、制造裝置與工藝的探索、整合及工藝平臺(tái)的構(gòu)建等。GLOBALFOUNDRIES預(yù)定與其他參加企業(yè)進(jìn)行EUV（extreme ultraviolet）光刻技術(shù)、邏輯IC與存儲(chǔ)器用元件技術(shù)、納米布線(xiàn)技術(shù)及三維（3D）整合方面的合作。參加企業(yè)包括垂直統(tǒng)合型半導(dǎo)體廠商（IDM）、硅代工企業(yè)、無(wú)廠企業(yè)、采用輕晶園廠策略的半導(dǎo)體廠商、制造裝置廠商及部材廠商等。

GaN on Si技術(shù)開(kāi)發(fā)項(xiàng)目的目標(biāo)是開(kāi)發(fā)出成本效率優(yōu)良的高性能GaN on Si元件。該項(xiàng)目將推進(jìn)開(kāi)發(fā)使用200mm晶圓的GaN on Si技術(shù)。IMEC目前正在為此招募IDM、硅代工企業(yè)、化合物半導(dǎo)體廠商、制造裝置廠商及晶圓廠商。（記者：長(zhǎng)廣恭明）