盛美12英寸單片清洗技術(shù)用于清洗10nm超微顆粒

盛美半導(dǎo)體（上海）有限公司日前在中國半導(dǎo)體國際展上發(fā)表了十二英寸單片兆聲波清洗設(shè)備的最新工藝，本工藝用于45nm技術(shù)及以下節(jié)點(diǎn)的十二英寸高端硅片清洗。盛美獨(dú)家具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的清洗技術(shù)可以去除數(shù)十納米超微小顆粒，同時(shí)使硅片表面的材料損失降到最低，并且不影響硅片表面的平整度。

隨著半導(dǎo)體芯片制造進(jìn)入更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，清洗技術(shù)的一大挑戰(zhàn)是在控制硅片表面的材料損失以及保護(hù)硅片表面平整度的前提下，做到最大限度的減少缺陷密度。當(dāng)積成電路線寬越變越小，可影響硅片良率的顆粒也越來越小，而顆粒越小越難清洗。在硅片清洗時(shí)，如何避免微結(jié)構(gòu)損傷也是一個(gè)很具挑戰(zhàn)的難題，這就造成了控制芯片良率的清洗工藝窗口越來越小。

盛美半導(dǎo)體設(shè)備公司的創(chuàng)始人、首席執(zhí)行官王暉博士說： “ 要攻克45納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的清洗難關(guān)，一個(gè)理想的解決方案就是平衡物理力量和化學(xué)力量。我們的Ultra C單片清洗機(jī)是首次能憑借兆聲波與特定的稀釋化學(xué)液，清除數(shù)十納米微顆粒，并在客戶生產(chǎn)線上展現(xiàn)出了非凡的微顆粒清除效率與可觀的良率提升?！?/p>

盛美獨(dú)有的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)技術(shù)，“SAPS”（空間交變相移）技術(shù) 可以控制兆聲波能量在硅片面內(nèi)以及硅片到硅片之間的非均勻度都小于2%。而目前在市面上的單片兆聲波清洗設(shè)備只能控制兆聲波能量非均勻度在10-20%。

盛美的十二英寸Ultra C單片清洗機(jī)是量產(chǎn)型設(shè)備，用于45納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)，可內(nèi)置八個(gè)清洗腔體，每小時(shí)可加工250-350片硅片，兼容5種可循環(huán)利用的化學(xué)液體，多家亞洲客戶正在對該設(shè)備進(jìn)行研發(fā)及生產(chǎn)評估。