預(yù)估臺(tái)積電2011年?duì)I收4811億元，毛利率48.39%，稅后EPS 6.59元
2.IBTSIC預(yù)估臺(tái)積電2011年?duì)I收4811億元，YoY+14.71%，毛利率48.39%，稅后凈利1706.8億元，以股本2591.01億元計(jì)算，稅后EPS 6.59元。
3.投資建議：目前臺(tái)積電PBR 3.68X，PER 11.58X，IBTSIC考量臺(tái)積電PER偏低，故給予臺(tái)積電買進(jìn)投資建議，目標(biāo)價(jià)2011年P(guān)ER 15X。
營(yíng)運(yùn)分析
4Q10公布財(cái)報(bào)概況
臺(tái)積電4Q10 營(yíng)收1,101.4 億元，QoQ-1.87%，毛利率49.8%，稅后凈利407.2 億元，稅后EPS 1.57 元，4Q10 新臺(tái)幣匯率為30.4 元。
2010 年?duì)I收4195.36 億元，YoY+41.86%，毛利率49.36%，稅后凈利1,616.06億元，稅后EPS 6.24 元。
2010 年IDM 客戶占整體營(yíng)收比重20%，預(yù)估2011 年IDM 客戶占營(yíng)收比重將再增2%，臺(tái)積電晶圓代工全球市占率由2009 年43.9%，提升至2010年的45.5%。
4Q10 在40nm 制程營(yíng)收占臺(tái)積電晶圓銷售的21%，65nm 制程的營(yíng)收占31%，合計(jì)40 及65nm 制程占臺(tái)積電4Q10 營(yíng)收達(dá)52%。
4Q10 產(chǎn)品面部份：通訊相關(guān)應(yīng)用上的晶圓出貨量較前一季上揚(yáng)，彌補(bǔ)了電腦相關(guān)應(yīng)用及消費(fèi)性產(chǎn)品相關(guān)應(yīng)用晶圓出貨量的下滑。
1Q11營(yíng)收預(yù)估1050~1070億元
臺(tái)積電對(duì)1Q11合并營(yíng)收預(yù)估1,050~1,070億元，QoQ-2.8~-4.6%；毛利率47~49%；營(yíng)業(yè)利益率35~37%。
1Q11臺(tái)積電假設(shè)新臺(tái)幣匯率為29.26元，1Q11營(yíng)收預(yù)估亦以該數(shù)字為假設(shè)基礎(chǔ)，2011年匯率假設(shè)基礎(chǔ)為29.16元。以當(dāng)前臺(tái)積電狀況，臺(tái)幣每升值1%，毛利率下滑0.4%。
產(chǎn)品面部份：1Q11通訊相關(guān)應(yīng)用需求較強(qiáng)勁，消費(fèi)性電子及PC表現(xiàn)相對(duì)較弱。但1Q11客戶端庫(kù)存會(huì)高于季節(jié)性水準(zhǔn)，但2Q11就會(huì)回歸正常水平。
臺(tái)積電1Q11整體晶圓出貨量預(yù)估為305.7萬(wàn)片，QoQ-0.3%1Q11臺(tái)積電12寸依然呈現(xiàn)滿載，8寸廠則有年度歲修。
IBTSIC預(yù)估臺(tái)積電1Q11營(yíng)收1,063億元，QoQ-3.45%，毛利率48.17%，稅后凈利374.96億元，稅后EPS 1.45元。
資本支出及制程概況
臺(tái)積電2011年資本支出78億美元，YoY+31.4%，2011年資本支出金額排名全球半導(dǎo)體廠中第三高的廠商(Samsung資本支出為92億美元，Intel為90億美元)，其中臺(tái)積電78億美元的資本支出有9%投入20及14nm的研發(fā)，72%投入65、40及28 nm制程技術(shù)，剩余部份投入特殊制程。
先進(jìn)制程客戶需求強(qiáng)勁，28nm雖然還沒(méi)量產(chǎn)但是客戶排隊(duì)最長(zhǎng)，主要因?yàn)?8nm的HPM制程因具有相對(duì)高效能，具30GHz的運(yùn)算速度，功耗低，適合用于行動(dòng)裝置電子產(chǎn)品，所以成為客戶爭(zhēng)相要制程產(chǎn)能。預(yù)估28nm產(chǎn)能正式開(kāi)出后，對(duì)3Q11營(yíng)收貢獻(xiàn)約有1~2%。
此外目前主流制程40及65nm排隊(duì)的客戶相當(dāng)長(zhǎng)；但在90nm、0.13um制程的需求相對(duì)較少，沒(méi)有排隊(duì)的情況。值得留意0.18um的特殊制程，包含MEMS、電源管理IC，客戶排隊(duì)隊(duì)伍有拉長(zhǎng)現(xiàn)像，并呈現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。
2011各產(chǎn)業(yè)展望及臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)概況
臺(tái)積電預(yù)估全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值2011年不含記憶體產(chǎn)業(yè)，YoY+7%，晶圓代工產(chǎn)值YoY+14%，而臺(tái)積電2011年產(chǎn)值如以美元計(jì)算可望成長(zhǎng)20%，但受到新臺(tái)幣升值影響，臺(tái)積電2011年?duì)I收成長(zhǎng)率將低于20%的水準(zhǔn)。
臺(tái)積電預(yù)估2011年P(guān)C相關(guān)應(yīng)用YoY+10%，手機(jī)相關(guān)YoY+9%，消費(fèi)性電子相關(guān)YoY+6%。
電子產(chǎn)品部份2011年最看好平板電腦及智慧型手機(jī)應(yīng)用。臺(tái)積電預(yù)估智慧型手機(jī)2011年出貨量4.2億支，扣除記憶體，4Q11臺(tái)積電相關(guān)IC的市占率約45%，2011年底則可望再成長(zhǎng)至50%。
平版電腦部份：預(yù)估平板電腦今年出貨量將達(dá)4200臺(tái)，雖然市場(chǎng)規(guī)模仍小，但成長(zhǎng)動(dòng)能十足，預(yù)計(jì)2H11將大幅成長(zhǎng)，且成長(zhǎng)力道延續(xù)至2012?？鄢鼳pple iPad及Samsung Galaxy Pad產(chǎn)品，Android平臺(tái)的平板電腦，不含記憶體部份，臺(tái)積電約供應(yīng)61%的邏輯IC生產(chǎn)。
臺(tái)積電2010年?duì)I收計(jì)算以新臺(tái)幣匯率31.49元，預(yù)估2011年平均匯率為29.16元，升值幅度高達(dá)7.4%，將造成營(yíng)業(yè)利益率下滑3%。
IBTSIC預(yù)估臺(tái)積電2011年?duì)I收4,811億元，YoY+14.71%，毛利率48.39%，稅后凈利1706.8億元，以股本2591.01億元計(jì)算，稅后EPS 6.59元。
股利政策：將不再維持股利發(fā)放為可分配盈余的80%成，而每股現(xiàn)金股息仍將不低于3元。
圖一：臺(tái)積電PE Band
資料來(lái)源：IBTSIC
簡(jiǎn)明損益表
投資評(píng)等說(shuō)明
| 評(píng)等 | 隱含報(bào)酬率空間 |
| 強(qiáng)力買進(jìn) | > 50% |
| 買進(jìn) | 30%~50% |
| 區(qū)間操作 | 預(yù)期股價(jià)波動(dòng)區(qū)間 < 30% |
觀望 | 建議降低持股 近期股價(jià)將呈持平走勢(shì) 無(wú)法由基本面給予合理評(píng)等 |
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