聯(lián)電CMOS-MEMS技術研發(fā)有成 預計今年量產(chǎn)
聯(lián)電表示,采用該公司 CMOS-MEMS 技術制造的麥克風元件已經(jīng)完成功能驗證,訊噪比(S/N ratio)可達到 56dBA 以上之水準,其性能極具國際競爭力,預計將于今年上半年提供工程樣品,接著便能進入量產(chǎn)。 CMOS-MEMS 加速度計的產(chǎn)品開發(fā)也己符合消費性電子產(chǎn)品之應用規(guī)格(1g~16g),其功能也達量產(chǎn)的目標。
除了已與多家客戶合作開發(fā)各樣的 MEMS 晶片和高度整合的 CMOS-MEMS 產(chǎn)品,擴展微機電感測器于生活或環(huán)境監(jiān)測之高階應用之外,聯(lián)電也以自身多樣性的CMOS制程技術,提供微機電專用 ASIC 晶片之專工服務,以支援各種微機電應用。
「MEMS技術的開發(fā)是一個極大的挑戰(zhàn),我們在MEMS技術上獲得的成功,證明了聯(lián)華電子對客戶一貫的承諾,提供創(chuàng)新、高效能并且簡潔的解決方案?!孤?lián)電特殊技術開發(fā)資深處長陳立哲表示。
面對MEMS感測器應用的日益普及, CMOS-MEMS 專工服務需求也急速增加;聯(lián)電表示未來將開放此 CMOS-MEMS 技術,提供產(chǎn)業(yè)及學術界做為新元件的開發(fā),以期降低IC設計公司的進入門檻,提升臺灣在全球MEMS產(chǎn)業(yè)的整體競爭力。