明年臺晶圓代工前段設備投資達70億美元　年增14%

晶圓代工積極沖刺先進制程，并持續(xù)擴充12吋產(chǎn)能，2011年資本支出持續(xù)維持高檔，根據(jù)國際半導體設備暨材料協(xié)會(SEMI)最新統(tǒng)計，臺灣晶圓代工廠2011年前段制程設備投資將超越70億美元，年成長14%，臺灣仍將是全球最大半導體設備市場。

2010年臺積電與聯(lián)電皆大幅提高資本支出，臺積電全年資本支出高達59億美元，聯(lián)電亦達18億美元，對于2011年資本支出計劃都表示非常積極，臺積電甚至會超過2011年水平；業(yè)界推估，臺積電2011年資本支出上看65億美元，聯(lián)電則約15億~18億美元。

SEMI資深研究經(jīng)理曾瑞榆指出，在制程技術升級和持續(xù)擴產(chǎn)的需求驅(qū)動下，晶圓廠支出在2011年將成長18.3%，2012年在成長9.5%；其中又以內(nèi)存、晶圓代工和微處理器(MPU)支出最為明顯。2011年晶圓廠投資中，建廠方面的支出將減少11%。

然相較于建廠支出的減少，2011年晶圓廠在制程相關設備的投資金額預估將提高23%，達到400億美元，超越2007年的水平， 創(chuàng)下19年來的最高紀錄。

在晶圓代工廠方面，曾瑞榆指出，2011年12吋晶圓產(chǎn)能將增加20%， 其中以臺灣及南韓為最主要的驅(qū)動力。其中，臺灣地區(qū)晶圓代工產(chǎn)能為全球之冠，2011年前段設備投資金額將由20! 10年的61.32億美元，提升至70億美元。

至于在內(nèi)存廠方面，受到產(chǎn)業(yè)價格波動影響，DRAM市場較為疲弱，未來兩年設備支出預估持平，而已NAND Flash相關投資為主要的成長力道。

2011年設備市場展望樂觀，微影設備大廠艾司摩爾(ASML)也于9日宣布調(diào)升第4季接單金額預估值，由10月時預估的13億歐元，提高到20億歐元，主要由于內(nèi)存廠對微影需求的減緩程度低于預期，加上NAND Flash與晶圓代工廠投資積極。

ASML也強調(diào)，這個金額并不包括最新進的極紫外光(EUV)微影機臺，除NXE:3100六臺設備訂單在準備出貨外，最新一代量= 型機臺NXE:3300機臺已接獲9臺訂單，將于2012年陸續(xù)出貨。

SEMI指出，2010年半導體設備市場將達375.4億美元，年成長達136%，預估2011年將再成長8%，站上400億美元大關，2012年也將有個位數(shù)成長幅度；然SEMI也指出，未來新廠需要18~24個月的規(guī)劃、建置、設備裝機、認證和試營運，若上線時間太慢，或無新晶圓廠出現(xiàn)，2014年恐怕會有產(chǎn)能不足的疑慮。