納米制程侵權(quán)案,USITC以有利于臺(tái)積電方式終結(jié)
臺(tái)積公司與請(qǐng)求USITC調(diào)查此案的美國(guó)新墨西哥大學(xué)專利授權(quán)機(jī)構(gòu)STC.UNM均已向法院提出終止調(diào)查申請(qǐng),內(nèi)容可參閱USITC網(wǎng)站--案件編號(hào):337-TA-729、標(biāo)題:In the Matter of Certain Semiconductor Products Made by Advanced Lithography Techniques and Products Containing Same。
這項(xiàng)調(diào)查內(nèi)容指稱臺(tái)積公司37納米及以下的半導(dǎo)體制程侵害編號(hào)第6042,998號(hào) (“998”專利)的美國(guó)專利,但臺(tái)積公司否認(rèn)這項(xiàng)侵權(quán)指控。
臺(tái)積電資深副總經(jīng)理暨法務(wù)長(zhǎng)杜東佑博士表示,雖然臺(tái)積公司對(duì)于此次STC.UNM這種基于無(wú)效專利而提出的案件感到遺憾,但仍欣見本案終能解決。