IBM聯(lián)盟否認(rèn)在Gate-first高k工藝上遇到了問(wèn)題
[導(dǎo)讀]IBM技術(shù)聯(lián)盟成員GlobalFoundries和Samsung否認(rèn)了近期聯(lián)盟在高k/金屬柵技術(shù)上遇到了麻煩。在高k/金屬柵上IBM集團(tuán)采用Gate-first工藝，而Intel和臺(tái)積電等大廠則采用Gate-last工藝。Barclay銀行分析師Andrew Lu稱，IBM集
IBM技術(shù)聯(lián)盟成員GlobalFoundries和Samsung否認(rèn)了近期聯(lián)盟在高k/金屬柵技術(shù)上遇到了麻煩。
在高k/金屬柵上IBM集團(tuán)采用Gate-first工藝，而Intel和臺(tái)積電等大廠則采用Gate-last工藝。
Barclay銀行分析師Andrew Lu稱，IBM集團(tuán)在采用Gate-first工藝的過(guò)程中遇到了熱穩(wěn)定性、閾值電壓漂移和柵堆疊層再生長(zhǎng)等問(wèn)題，這對(duì)于PMOS來(lái)說(shuō)是非常嚴(yán)重的問(wèn)題。
Lu還表示，預(yù)計(jì)臺(tái)積電有望憑借Gate-last工藝在28nm轉(zhuǎn)移戰(zhàn)中占得先機(jī)。
但I(xiàn)BM集團(tuán)成員否認(rèn)這一說(shuō)法。GlobalFoundries稱，在Gate-first問(wèn)題上存在著一些誤區(qū)?！拔覀兒徒鹑诜治鰩煹穆?lián)系不是很緊密，因?yàn)槲覀儾皇且患疑鲜泄?，所以他們得到的并非最新信息?！比莿t稱：“大家都知道我們?cè)?月就認(rèn)證了32nm高k/金屬柵工藝，并未遇到這種問(wèn)題?！?/p>
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