AMD與Intel的制程工藝差距正在擴(kuò)大？

當(dāng)AMD在去年出售位于紐約北部的制造工廠GLOBALFOUNDRIES時(shí)，AMD宣稱此舉是為了“縮小與Intel的差距”。AMD制造系統(tǒng)技術(shù)副總裁Tom Sonderman表示：“我們?cè)?5nm技術(shù)上與Intel相差一年，這一差距將在32nm技術(shù)上大幅縮小。到22nm的時(shí)候，我們將與Intel并駕齊驅(qū)。”

但是一年之后，似乎這個(gè)差距變得越來越大了。Intel在今年一月推出了首款32nm“Westmere”至強(qiáng)處理器，而GLOBALFOUNDRIES則表示他們計(jì)劃在明年年中交付32nm芯片?！?2nm SOI制程符合AMD的要求，而且目前AMD是我們采用該制程工藝的唯一客戶。我們已經(jīng)開始了初期生產(chǎn)，并公開承諾他們已經(jīng)給付了樣品，計(jì)劃（在2011年上半年）交付產(chǎn)品?！?br>
目前該公司還在開發(fā)28nm制程工藝——比32nm前進(jìn)了“半個(gè)節(jié)點(diǎn)”——并且計(jì)劃在明年交付芯片。該公司新聞發(fā)言人表示：“在28nm制程——主要針對(duì)高性能和低功耗設(shè)備——方面，我們將今年年底制造出產(chǎn)品，并從2011年開始量產(chǎn)。產(chǎn)品上市的時(shí)間要取決于客戶，不過你可能會(huì)在2011年上半年會(huì)看到。”

據(jù)UBM Techinsights高級(jí)分析師Carl Wintgens，AMD與Intel的差距不斷擴(kuò)大部分原因是由于兩家廠商的競(jìng)爭(zhēng)不僅在于縮小的制程工藝上，而且還在于高K-金屬柵極的進(jìn)程上（高K-金屬柵極技術(shù)取代了沿用了40年之久的二氧化硅材料）。

Wintgens表示：“到目前為止還沒有其他制造商公布他們的32nm技術(shù)，只有Intel。因?yàn)?，大多?shù)制造商將在32nm方面首次引入高K-金屬柵極技術(shù)。這是非常復(fù)雜的，可能會(huì)成為推遲的原因?！?br>
Intel早在32nm之前的45nm工藝上就首次采用了高K-金屬柵極技術(shù)。

而且，Intel的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在高K-金屬柵極技術(shù)上采取了不同的策略。Intel使用的是Gate-last工藝，這種技術(shù)的特點(diǎn)是在對(duì)硅片進(jìn)行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的高溫退火工步完成之后再形成金屬柵極。而GLOBALFOUNDRIES與其他“IBM晶圓俱樂部”的成員采用的是傳統(tǒng)Gate-first工藝。Wintgens表示，隨著高K-金屬柵極技術(shù)的采用，Gate-first工藝可能會(huì)出現(xiàn)一些問題。

“當(dāng)你對(duì)硅片進(jìn)行漏/源區(qū)離子注入操作的時(shí)候，你必須使用高溫流程，如果柵極是金屬的，那么柵極的電性會(huì)受到該流程的影響。這就是為什么最好是在漏/源區(qū)之后做金屬棧極。這會(huì)在流程中引入一些復(fù)雜性，但是最終會(huì)形成一個(gè)更可靠的流程。”

根據(jù)報(bào)告顯示，三星正在探索一種Gate-last工藝以遷移到22nm，考慮到Gate-first工藝只適合于一個(gè)制造“節(jié)點(diǎn)”——例如32nm。

GLOBALFOUNDRIES將可能成為第一個(gè)完成32nm first工藝工藝的制造商，但實(shí)際芯片的問世可能要推遲到明年年中——盡管臺(tái)積電可能會(huì)趕在前面。臺(tái)積電采用的是Intel Gate-last工藝。

Wintgens表示，GLOBALFOUNDRIES的28nm制程僅僅是為了證明雙方差距并沒有擴(kuò)大的一個(gè)假象。他說：“他們想說‘我們不希望在與Intel對(duì)比的時(shí)候顯得太糟糕，因此我們將推出28nm。'28nm并不是一個(gè)真正的工藝點(diǎn)，而是一個(gè)中節(jié)點(diǎn)或者辦節(jié)點(diǎn)?！?br>
他甚至質(zhì)疑AMD的32nm工藝是否會(huì)推向市場(chǎng)。GLOBALFOUNDRIES并沒有談?wù)撽P(guān)于從20nm到22nm的詳細(xì)計(jì)劃，但是該廠商表示將于今年9月在硅谷展開的一次會(huì)事上透露相關(guān)信息。