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[導(dǎo)讀]根據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)組織(Semiconductor International Capacity Statistics,SICAS)的報(bào)告,全球大多數(shù)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)芯片制造產(chǎn)能利用率,在2010年第二季達(dá)到接近百分之百;這意味著盡管晶圓代工廠在第二季擴(kuò)增


根據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)組織(Semiconductor International Capacity Statistics,SICAS)的報(bào)告,全球大多數(shù)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)芯片制造產(chǎn)能利用率,在2010年第二季達(dá)到接近百分之百;這意味著盡管晶圓代工廠在第二季擴(kuò)增了不少產(chǎn)能,整體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能水平仍幾乎維持不變。

從全球半導(dǎo)體廠商收集生產(chǎn)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)的SICAS表示,全球晶圓廠產(chǎn)能利用率在2010年第二季達(dá)到95.6%,該數(shù)字在上一季則為93.5%;當(dāng)季全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的整體產(chǎn)能為每周212.6萬片8吋約當(dāng)初始晶圓(wafer starts),較前一季成長0.9,但較2009年同期減少了0.2%。

以制程節(jié)點(diǎn)來看,較舊的100奈米以上 8吋晶圓制程,產(chǎn)能利用率也上升至接近九成;100奈米以下的12吋晶圓先進(jìn)CMOS制程,產(chǎn)能利用率在95%~98%之間;至于 90奈米、65奈米與次60奈米節(jié)點(diǎn)制程,產(chǎn)能利用率則分別為94.6%、98.8%與98.6%。

以上的高產(chǎn)能利用率數(shù)字,是在第二季全球晶圓代工廠大幅擴(kuò)增產(chǎn)能的情況下統(tǒng)計(jì)出來的;據(jù)統(tǒng)計(jì),當(dāng)季晶圓代工制造產(chǎn)能達(dá)到每周40.7萬片初始晶圓,較上一季成長了5.9%,較去年同期間甚至成長了41.2%之多。

第二季初始晶圓數(shù)量較上一季成長了10.6%,較09年第二季成長67.8%;同時(shí)間晶圓代工廠的整體產(chǎn)能利用率則達(dá)到98.8%。在一年前同期,晶圓代工廠產(chǎn)能利用率為83.1%,更前一季甚至還只有50.1%。

整體 12吋晶圓產(chǎn)能利用率則在第二季達(dá)到98.4%的水平,該數(shù)字在第一季為96.9%;而整體制造產(chǎn)能實(shí)際是呈現(xiàn)連續(xù)成長的趨勢。分析師預(yù)期,全球IC制造產(chǎn)能利用率在今年內(nèi)將持續(xù)成長,并由第二季的95.6%,在第四季成長到96%。

(參考原文: Manufacturing capacity utilization hits 95.6%,by Peter Clarke)

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