臺(tái)積電中科15廠本周動(dòng)土

時(shí)間：2010-07-14 08:07:00

關(guān)鍵字：臺(tái)積電 FAB 晶圓廠晶圓代工

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[導(dǎo)讀]為因應(yīng)長(zhǎng)遠(yuǎn)布局，晶圓代工廠臺(tái)積電將于中科興建全新的12吋晶圓廠(Fab15)，將于16日正式動(dòng)土，該座新12吋廠以40奈米為主要制程，并將進(jìn)行28奈米制程研發(fā)，成為臺(tái)積電最先進(jìn)的晶圓廠。臺(tái) 積電董事長(zhǎng)張忠謀看好半

為因應(yīng)長(zhǎng)遠(yuǎn)布局，晶圓代工廠臺(tái)積電將于中科興建全新的12吋晶圓廠(Fab15)，將于16日正式動(dòng)土，該座新12吋廠以40奈米為主要制程，并將進(jìn)行28奈米制程研發(fā)，成為臺(tái)積電最先進(jìn)的晶圓廠。

臺(tái) 積電董事長(zhǎng)張忠謀看好半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景，隨著芯片市場(chǎng)成長(zhǎng)，以及整合組件廠(IDM)加速委外釋單，帶動(dòng)晶圓代工需求。張忠謀亦三度上修2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年成長(zhǎng)預(yù)估值達(dá)30%，他也認(rèn)為，受惠大陸消費(fèi)者需求增長(zhǎng)，未來(lái)5年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)率可望達(dá) 6~7%。

為了產(chǎn)能長(zhǎng)遠(yuǎn)規(guī)畫，臺(tái)積電加速布局先進(jìn)晶圓廠，決定在中科興建第3座12吋超大型晶圓廠Fab15，預(yù)計(jì)2010年中動(dòng)土，初期將以40奈米開始切入，未來(lái)會(huì)伺機(jī)盡快循序切入28奈米和20奈米制程。

臺(tái)積電2010年積極擴(kuò)充產(chǎn)能，資本支出達(dá)48億美元，并可望在月底的法說(shuō)會(huì)中上調(diào)。占地約18公頃的中科15廠，將是臺(tái)積電繼竹科、南科后的第3座12吋廠用地，預(yù)估最快年底就可完工，供應(yīng) 12吋產(chǎn)能。

除新建的中科15廠外，臺(tái)積電2010年亦擴(kuò)建竹科12吋廠Fab12的第5期工程及南科12吋廠Fab 14的第4期工程，屆時(shí)單月產(chǎn)能各會(huì)達(dá)到10萬(wàn)片，并會(huì)導(dǎo)入最先進(jìn)的40奈米制程量產(chǎn)，而Fab 12也會(huì)在下半年開始以28奈米量! 產(chǎn)投片。

屆時(shí)，臺(tái)積電全年總產(chǎn)能亦將首度突破千萬(wàn)片大關(guān)，產(chǎn)量上看1,124萬(wàn)片的8吋約當(dāng)晶圓，而12吋廠先進(jìn)制程年度總產(chǎn)能則會(huì)年增35%，比重也將首度達(dá)到5 0%。