臺積電拼20奈米　戰(zhàn)斗機(jī)臺明年到位

隨著IC組件微縮、制程進(jìn)入28奈米以下，半導(dǎo)體業(yè)者若能掌握微影技術(shù)主控權(quán)，就等于卡位先進(jìn)制程領(lǐng)導(dǎo)地位，臺積電未來研發(fā)重點(diǎn)放在28奈米以下，尤其為力拼20奈米制程，全力備妥戰(zhàn)斗武器，臺積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義24日表示，預(yù)計(jì)第1臺超紫外線(EUV)微影機(jī)臺將于2011年到位，以配合2013年導(dǎo)入20奈米制程。

在摩爾定律所闡述IC制程縮微周期中，微影技術(shù)可說是具支配性的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù)，隨著IC組件制程進(jìn)入28奈米以下開發(fā)，半導(dǎo)體業(yè)者若能掌握微影技術(shù)主控權(quán)，就等于卡位先進(jìn)制程領(lǐng)導(dǎo)地位，近期包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)、海力士(Hynix)等均已成功利用EUV發(fā)展30及20奈米世代內(nèi)存微影技術(shù)。

晶圓代工龍頭廠臺積電亦全力跨入EUV微影技術(shù)研發(fā)，取得ASML EUV微影設(shè)備，成為ASML全球6家取得這項(xiàng)設(shè)備客戶伙伴之一。蔣尚義表示，臺積電第1臺EUV微影設(shè)備將于2011年到位，安裝于臺積電超大晶圓廠(GigaFab)Fab 12，用以發(fā)展新世代制程技術(shù)。臺積電將成為全球首家可在自身晶圓廠發(fā)展EUV微影技術(shù)的專業(yè)晶圓代工業(yè)者。

蔣尚義指出，臺積電2013年將會導(dǎo)入20奈米制程，并改采EUV微影設(shè)備，不? L，目前EUV微影機(jī)臺問題在于每小時(shí)單位產(chǎn)出量太少，較缺乏競爭力，倘若EUV技術(shù)能夠趨于成熟，拉高每小時(shí)單位產(chǎn)出量達(dá)到100片，屆時(shí)使用EUV設(shè)備才會具有競爭力。

臺積電2010年研發(fā)技術(shù)重點(diǎn)在于28奈米制程，對于22奈米以下市場亦積極卡位，希望能贏得更高市占率，針對目前量產(chǎn)中的40奈米，以及2010年底即將進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的28奈米，臺積電均采用雙重曝影浸潤式微影技術(shù)，22奈米亦還不會使用EUV微影設(shè)備。

事實(shí)上，相較于現(xiàn)行浸潤式微影技術(shù)以193奈米波長當(dāng)作光源，EUV微影技術(shù)導(dǎo)入更短波長光源，將有機(jī)會降低生產(chǎn)成本，成為IC制造更先進(jìn)技術(shù)世代一個(gè)有潛力的= 擇，然因EUV設(shè)備十分昂貴，1部機(jī)臺要價(jià)至少1億美元起跳，相對應(yīng)的光罩投資金額亦十分驚人，22奈米世代研發(fā)投資幾乎是上一世代28奈米的1倍，因此，一旦EUV轉(zhuǎn)為未來新世代制程重點(diǎn)發(fā)展方向，各家半導(dǎo)體廠口袋是否夠深，將是一大考驗(yàn)。