聯(lián)電與力成及爾必達28奈米TSV技術(shù)合作最快2012年量產(chǎn)

時間：2010-06-21 21:05:00

關(guān)鍵字：聯(lián)電爾必達 DRAM IC

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[導(dǎo)讀]晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)今天與DRAM模塊廠力成(6239-TW)日本爾必達(Elpida)(6665-JP)共同宣布針對包括28奈米先進制程直通硅晶穿孔(TSV)整合技術(shù)進行合作。聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，有鑒于摩爾定律的成長已經(jīng)趨緩

晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)今天與DRAM模塊廠力成(6239-TW)日本爾必達(Elpida)(6665-JP)共同宣布針對包括28奈米先進制程直通硅晶穿孔(TSV)整合技術(shù)進行合作。

聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，有鑒于摩爾定律的成長已經(jīng)趨緩，未來將由TSV這類整合各種技術(shù)的解決方案領(lǐng)導(dǎo)市場，認為結(jié)合聯(lián)電在邏輯IC的優(yōu)勢、爾必達在DRAM的領(lǐng)先地位和力成在封裝上的專業(yè)，三方的互補將可縮短研發(fā)時間和成本，以滿足客戶需求，因此聯(lián)合爾必達和力成針對該項制程的設(shè)計、制程、測試與封裝進行合作。

爾必達社長坂本幸雄指出，爾必達在2009年便已成功開發(fā)成功開發(fā)80億字節(jié)的DRAM堆棧技術(shù)，但當中遇到不小困難，因為必須要有邏輯IC的先進制程才能有效大幅增加數(shù)據(jù)傳輸速率卻可以同時減少功率消耗，又可以使體積輕薄短小，因此非常高興能在力成之外，又找到聯(lián)電做為技術(shù)合作伙伴。

坂本幸雄表示，目前這項技術(shù)的應(yīng)用以多媒體手機以及數(shù)字照相機為主，客戶的詢問度非常高。

聯(lián)電副總裁暨先進技術(shù)開發(fā)處處長簡山杰表示，隨著CMOS制程微縮帶來的技術(shù)與成本上的挑戰(zhàn)，采用TSV技術(shù)成為摩爾定律之外的另一個選擇，但需要這個解決方案來生產(chǎn)次世代產(chǎn)品的客戶面臨標準化、供應(yīng)鏈基礎(chǔ)架構(gòu)、熱應(yīng)力和封裝測試整合等問題，只有策略性跨領(lǐng)域的合作才能提供全方位的解決方案，這項三方合作的成果將可讓聯(lián)電支持使用其他TSV方法的客戶，為他們提供完整的解決方案。

聯(lián)電表示，預(yù)計此項技術(shù)的研發(fā)可在明年中提供給客戶并取得智財驗證，視技術(shù)成熟度和市場接受度最快可在2012年進行量產(chǎn)。