聯(lián)電：3D IC會(huì)全面擴(kuò)及各應(yīng)用 拼完整解決方案

晶圓代工業(yè)者聯(lián)電(2303)執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉于今(21)日表示，聯(lián)電將以自身在先進(jìn)邏輯制程上的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，與日商Elpida、力成(6239)等兩大業(yè)者在3D IC領(lǐng)域上進(jìn)行廣泛的技術(shù)合作，且預(yù)計(jì)會(huì)以TSV(Through-Silicon Via,直通硅晶穿孔)制程開(kāi)發(fā)為核心，共同開(kāi)發(fā)Logic+DRAM的3D IC完整解決方案。孫世偉也預(yù)期，強(qiáng)調(diào)多芯片堆棧又能符合耗電、成本與效能導(dǎo)入需求規(guī)范的3D IC，未來(lái)將會(huì)成為全面性的應(yīng)用技術(shù)，陸續(xù)深入包括手機(jī)與PC等主流相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域。

聯(lián)電副總經(jīng)理暨先進(jìn)技術(shù)開(kāi)發(fā)處處長(zhǎng)簡(jiǎn)山杰表示，根據(jù)這次公司與日商Elpida、力成的三方規(guī)劃，未來(lái)3D IC相關(guān)技術(shù)研發(fā)初期都會(huì)在日本進(jìn)行，且隨著CMOS制程微縮帶來(lái)的技術(shù)與成本上的挑戰(zhàn)，采用TSV制程技術(shù)的3D IC架構(gòu)便成為摩爾定律之外的另一個(gè)新選擇；同時(shí)初步預(yù)期明年中時(shí)就會(huì)完成相關(guān)產(chǎn)品的試做，惟實(shí)際投產(chǎn)情況，以目前生產(chǎn)成熟度與客戶接受度等觀點(diǎn)來(lái)觀察，預(yù)期3D IC在2012年時(shí)即有機(jī)會(huì)導(dǎo)入量化生產(chǎn)。

孫世偉則指出，盡管距離3D IC產(chǎn)品量產(chǎn)還有一段時(shí)間，惟預(yù)期藉此一合作而掌握TSV制程技術(shù)的聯(lián)電，也可望在晶圓前段生產(chǎn)過(guò)程中得到更多新的商業(yè)合作機(jī)會(huì)，同時(shí)Elpida亦會(huì)參與相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)；同時(shí)三方在3D IC領(lǐng)域的合作，仍將專注于產(chǎn)品與制程技術(shù)開(kāi)發(fā)的綜效上，因此盡管這次基于該項(xiàng)完整解決方案對(duì)客戶端的推廣，而由聯(lián)電方面出面主導(dǎo)發(fā)布，惟未來(lái)究竟會(huì)由誰(shuí)執(zhí)行量產(chǎn)，目前也還尚未討論。

此外，簡(jiǎn)山杰也指出，在將TSV技術(shù)整合DRAM與邏輯技術(shù)后，預(yù)計(jì)其提供的效能已可滿足各項(xiàng)可攜式電子產(chǎn)品3C功能持續(xù)整合的發(fā)展趨勢(shì)，而這項(xiàng)合作亦能促進(jìn)完整解決方案的開(kāi)發(fā)，其中，包括Logic+DRAM接口設(shè)計(jì)、TSV結(jié)構(gòu)、晶圓薄化、測(cè)試與芯片堆棧組裝等，換言之，這項(xiàng)技術(shù)將可增加成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，改善邏輯良率效應(yīng)，并加快3D IC市場(chǎng)的發(fā)展進(jìn)程。

然而，由于需要3D IC TSV解決方案來(lái)生產(chǎn)次世代產(chǎn)品的客戶，正面臨包括標(biāo)準(zhǔn)化、供應(yīng)鏈基礎(chǔ)架構(gòu)、設(shè)計(jì)解決方案、封裝測(cè)試整合以及成本問(wèn)題等多項(xiàng)挑戰(zhàn)。因此，聯(lián)電指出，公司身為3D IC整合解決方案的晶圓制造廠，也冀望藉由這次三方合作能針對(duì)各種不同應(yīng)用產(chǎn)品，共同為客戶的3D IC設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)一個(gè)完整的TSV整合解決方案，并支持采用其他TSV方法的客戶，透過(guò)與現(xiàn)有封裝伙伴合作發(fā)展出適切的解決方案，以滿足下游客戶的需求。

除正式積極展開(kāi)布局的3D IC TSV完整解決方案外，在其他先進(jìn)制程進(jìn)度上，聯(lián)電在去年10月成功產(chǎn)出40奈米制程高效能產(chǎn)品后，在28奈米制程方面也頗有斬獲；該公司即預(yù)期包括后閘極(gate-last)高介電系數(shù)/金屬閘極(HK/MG)研發(fā)等，均預(yù)計(jì)在今年底前即可準(zhǔn)備就緒，并進(jìn)行客戶硅智財(cái)(IP)驗(yàn)證。