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[導讀]聯(lián)電 (2303)今天舉行30周年慶,并進行南科Fab12A廠第三、四期的啟動,該公司執(zhí)行長孫世偉表示,目前新產(chǎn)能的擴充已積極進行機臺移入,預計今年第四季量產(chǎn),投入資金40億美元,預估完成后全年產(chǎn)能將達100萬片12吋晶


聯(lián)電 (2303)今天舉行30周年慶,并進行南科Fab12A廠第三、四期的啟動,該公司執(zhí)行長孫世偉表示,目前新產(chǎn)能的擴充已積極進行機臺移入,預計今年第四季量產(chǎn),投入資金40億美元,預估完成后全年產(chǎn)能將達100萬片12吋晶圓。孫世偉對聯(lián)電未來展望非常樂觀,他預估,今年65奈米以下先進制程技術比重將較去年成長倍增,12吋晶圓廠產(chǎn)能也會比去年成長25%,南科廠區(qū)的發(fā)展顯示聯(lián)電「深耕臺灣、布局全球」的決心。

聯(lián)電成立于1980年5月,是臺灣第一家半導體公司,30年來,已從一家整合組件制造公司,轉型成為全球主要的IC晶圓專工服務供應者。聯(lián)電不僅建立臺灣半導體營運上四班二輪等各項業(yè)界共享制度,陸續(xù)培育出IC設計、制造、封裝、光罩及測試等眾多專業(yè)人才,造就臺灣半導體產(chǎn)業(yè)上中下游供應煉的興盛,聯(lián)電 30年的歷程等同一部臺灣半導體業(yè)發(fā)展史。

聯(lián)電自第一座4吋晶圓廠開始營運,30年來,在創(chuàng)始董事長曹興誠的開疆辟土下,不僅陸續(xù)建造6吋、8吋及12吋晶圓廠,獨立研發(fā)的制程技術也自最早的7微米進展至目前的28奈米,目前聯(lián)電在新竹、臺南、新加坡及日本等地共有10座晶圓廠運轉,從早期生產(chǎn)電子表集成電路,到今天提供40奈米的量產(chǎn)制程技術,搭配全球晶圓廠,提供客戶晶圓專工解決方案,所制造產(chǎn)品涵蓋計算機、消費及通訊電子領域,展現(xiàn)技術研發(fā)及制造實力。

聯(lián)電自1999年進入臺南科學園區(qū),F(xiàn)ab12A廠自2001年開始生產(chǎn),已深耕長達10年,目前已進入45/40奈米制程技術的量產(chǎn)階段,2007年研發(fā)大樓啟用,自主研發(fā)的高階制程技術已推進至28奈米,并按既定計劃預計于2010年底達到硅智財試制能力,先進的20奈米技術也于今年初開始與客戶合作進行規(guī)劃及先期開發(fā)工作,因應客戶對先進制程技術的產(chǎn)能需求持續(xù)成長,如今在原有的Fab12A第一、二期廠區(qū)旁,擴建第三、第四期廠區(qū)。

孫世偉表示,目前Fab12A廠第一、二期月產(chǎn)能約3.5萬片12 吋晶圓,未來第三、四期的月產(chǎn)能將達4.5萬片,全產(chǎn)能開出后,每年可達100萬片12吋晶圓規(guī)模。配合產(chǎn)能擴建,聯(lián)電今年3月已在南科成立新訓中心,將招募1000名員工,積極培育人才。



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