消除碳化硅受限因素　硅晶圓鉆石切割2年內(nèi)普及

太陽能硅晶圓切片因受限于碳化硅(Silicon Carbide)耗材受管制而缺貨的影響，近年來業(yè)者積極評估切晶部分導入鉆石切割(Diamond wire saw)制程。太陽能硅晶圓廠評估，該制程預估在2年內(nèi)可望普及，未來產(chǎn)出將較目前制程約高出2倍以上，為太陽能技術的新革命。

太陽能硅晶圓廠表示，在太陽能硅晶圓切片部分屬于耗材的碳化硅，自太陽光電產(chǎn)業(yè)快速成長以來，一路傳出缺貨問題，包括2007年傳缺貨、漲價，2008年再調(diào)漲，2007~2008年的年漲幅約達5成，2009年雖受金融風暴影響，無漲價、價格維持平穩(wěn)，但2010年初即受到太陽光電景氣回溫的影響，傳出碳化硅價格再漲10%。

碳化硅缺乏的主要原因之一，即是主要產(chǎn)出地大陸近年來已開始實施出口管制，太陽能業(yè)者說，這代表碳化硅未來的成本走勢上揚的機會大于下跌機率，對產(chǎn)業(yè)快速成長、需求愈來愈高的太陽光電產(chǎn)業(yè)而言，碳化硅供給問題形同硅晶圓端的未爆彈。

所以在LED藍寶石已被應用的鉆石切割制程，近年來因碳化硅問題在太陽能硅晶圓領域已被受到相當?shù)闹匾暋?br>
太陽能業(yè)者表示，鉆石切割制程所需的線鋸，也有來源取得不易的問題，所以踏入該領域的第1步，即必須先掌控好該? 荍鱆漕虓翩A否則一旦斷炊也會造成生產(chǎn)危機。

而就設備來看，目前已有少數(shù)國際設備業(yè)者已開始推行二合一的設備機臺，即傳統(tǒng)制程與該新制程合一，或?qū)ｉT的鉆石切割設備，但因設備成本仍過高，所以短期內(nèi)普及化不易。

另外，投入鉆石切割制程的主要業(yè)者為日本夏普、三洋及京瓷，而且多數(shù)以單晶硅晶圓為主，在普及性較佳的多晶= 晶圓領域目前仍無較具代表性的業(yè)者，這也是影響鉆石切割導入的主要原因之一。

不過，太陽能硅晶圓廠指出，鉆石切割制程與現(xiàn)有制程相較，更符合環(huán)保訴求，且大量量產(chǎn)后，其產(chǎn)出相較現(xiàn)有制程至少高出2倍。

太陽能業(yè)者表示，即使鉆石切割制程目前仍存在諸多必須解決的問題，但受到碳化硅資源受限的影響，該領域被視為未來最佳的發(fā)展途徑之一，考慮到鉆石線鋸取得及設備發(fā)展性，預估2年內(nèi)該制程得以普及，而該制程一旦普及，代表切晶領域的技術革命成功。

目前臺系業(yè)者中，2個領導硅晶圓廠包括中美硅晶及綠能均傳出積極研發(fā)該技術。