諾發(fā)系統(tǒng)發(fā)表全新氮化鎢制程

時間：2010-05-20 08:11:00

關(guān)鍵字：薄膜金屬 DIRECT 電阻率

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[導(dǎo)讀]諾發(fā)系統(tǒng)（Novellus）日前宣布開發(fā)出一種創(chuàng)新的DirectFill化學(xué)氣相沉積氮化鎢（WN）線性阻隔膜，取代傳統(tǒng)的物理氣相沉積（PVD）金屬鈦及有機化學(xué)氣相沉積法（MOCVD）氮化鈦堆積成線性阻隔薄膜用于先進(jìn)內(nèi)存組件的

諾發(fā)系統(tǒng)（Novellus）日前宣布開發(fā)出一種創(chuàng)新的DirectFill化學(xué)氣相沉積氮化鎢（WN）線性阻隔膜，取代傳統(tǒng)的物理氣相沉積（PVD）金屬鈦及有機化學(xué)氣相沉積法（MOCVD）氮化鈦堆積成線性阻隔薄膜用于先進(jìn)內(nèi)存組件的鎢接觸傳導(dǎo)和銅線互連傳導(dǎo)應(yīng)用。氮化鎢（WN）薄膜沉積使用諾發(fā)系統(tǒng)的ALTUS多平臺序列沉積（MSSD）架構(gòu)及脈沖成核（PNL）專利技術(shù)。該 DirectFill制程沉積超薄，20埃氮化鎢（WN）比傳統(tǒng)的物理氣相沉積厚200埃氮化鈦和鈦堆棧，擁有更薄更好的膜電阻率和阻隔性能。這種超薄膜降低了鎢電阻高達(dá)百分之三十，并擴展鎢技術(shù)超越3Xnm的技術(shù)節(jié)點。

隨著更快、更節(jié)能的存儲元件功能和組件體積收縮方面的需求日益增加，進(jìn)而導(dǎo)致要求將銅連接線制程整合到閃存（FLASH）和易失存儲器（DRAM）裝置。但是對于第一金屬層還是沿用傳統(tǒng)的鋁制程之整合鎢接觸的鏈接信道使從第一層到銅及鋁層。但若進(jìn)而縮小尺寸到3Xnm技術(shù)節(jié)點以下，此一氣相沉積鎢的接觸信道整合技術(shù)就會受到傳統(tǒng)鈦/氮化鈦線興隔絕層堆積產(chǎn)生的瓶頸效應(yīng)的挑戰(zhàn)。物理氣相沉積鈦在通道口的突起沉積減少了通過開放口的面積，可導(dǎo)致不完整的化學(xué)氣相沉積鎢填充，造成通道中間有不完整充填的空隙。金屬有機化學(xué)氣相沉積氮化鈦TiN薄膜必須沉淀到的最小厚度，以防止硅烷氣體（鎢塞填充過程中使用的氣體）擴散并在通道接口形成高電阻率銅硅化物。