存儲(chǔ)器中采用銅工藝對(duì)于設(shè)備市場的影響

時(shí)間：2010-04-21 19:47:00

關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器半導(dǎo)體設(shè)備 DRAM 金屬

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀]按InformationNetwork總裁RobertCasterllano的說法,2009年存儲(chǔ)器芯片向銅互連工藝過渡開始熱了起來，由此雖然2009年整個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備市場下降超過40％以上,而與銅互連直接相關(guān)連的設(shè)備僅下降8.7％。在2006未Micron

按InformationNetwork總裁RobertCasterllano的說法,2009年存儲(chǔ)器芯片向銅互連工藝過渡開始熱了起來，由此雖然2009年整個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備市場下降超過40％以上,而與銅互連直接相關(guān)連的設(shè)備僅下降8.7％。

在2006未Micron技術(shù)公司首先在DRAM產(chǎn)品制造中采用銅工藝代替鋁。一年之后Elpida跟進(jìn)。之后所有的存儲(chǔ)器制造商,以三星為首都對(duì)于存儲(chǔ)器生產(chǎn)線進(jìn)行升級(jí)改造,導(dǎo)入銅工藝。因此影響了2009年銅淀積設(shè)備和材料的市場。公司認(rèn)為此種趨勢將影響半導(dǎo)體設(shè)備市場的各個(gè)方面一直到2011年。

顯然影響最大的是傳統(tǒng)的鋁互連淀積設(shè)備,如高密度等離子體HDPCVD,用作不摻雜(USG)和摻雜(PSGandFSG)薄膜生長設(shè)備的銷售額在2009年下降72％。

由于存儲(chǔ)器芯片制造中采用銅工藝集成,與傳統(tǒng)的邏輯工藝不同.而DRAM和閃存應(yīng)用于大量的存儲(chǔ)器應(yīng)用中,其要求更高的長寬比,尺寸更小和對(duì)于導(dǎo)線的阻抗更會(huì)敏感。

銅的阻擋層金屬淀積推動(dòng)PVD設(shè)備市場的增長,典型為Ta/TaN或者TiN的雙層結(jié)構(gòu)。隨著特征尺寸繼續(xù)縮小,要求更薄的阻擋層金屬層使大馬士革結(jié)構(gòu)中銅的用量擴(kuò)大,來維持更低的有效電阻率,所以銅互連工藝過渡是個(gè)挑戰(zhàn)。

Castellano補(bǔ)充由于向銅互連工藝過渡會(huì)大大影響CMP設(shè)備中的磨料(slurry)和襯墊(pad)市場。實(shí)際上由于銅互連工藝很快的推廣,之后將趨穩(wěn)定,這些消耗品會(huì)加入總的CMP等半導(dǎo)體設(shè)備市場中去。