臺(tái)積電跳過(guò)22nm，直接從28nm到20nm
[導(dǎo)讀]半導(dǎo)體廠商臺(tái)積電（TSMC），在近日舉行的2010TechnologySymposium討論會(huì)上，再度做出了驚人的壯舉，跳過(guò)22nm，直接從28nm到20nm制造工藝。 臺(tái)積電公司發(fā)言人蔣尚義表示，20nm工藝的轉(zhuǎn)換將會(huì)帶來(lái)極高的柵密度以及優(yōu)于
半導(dǎo)體廠商臺(tái)積電（TSMC），在近日舉行的2010TechnologySymposium討論會(huì)上，再度做出了驚人的壯舉，跳過(guò)22nm，直接從28nm到20nm制造工藝。
臺(tái)積電公司發(fā)言人蔣尚義表示，20nm工藝的轉(zhuǎn)換將會(huì)帶來(lái)極高的柵密度以及優(yōu)于22nm工藝的性價(jià)比。新的20nm工藝將會(huì)采用增強(qiáng)型高K金屬柵極(HKMG)、應(yīng)變硅、低電阻銅超低K等連接技術(shù)。此外還包括有創(chuàng)新的patterning技術(shù)以及布局設(shè)計(jì)方法等。
預(yù)計(jì)20nm制造工藝技術(shù)將會(huì)在2012年下半年開(kāi)始進(jìn)行試產(chǎn)。
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