Kilopass在TSMC 40nm與45nm低功率工藝中提供邏輯非易失性存儲器

加州圣塔克拉拉--(美國商業(yè)資訊)--半導(dǎo)體邏輯非易失性存儲器 (NVM) 知識產(chǎn)權(quán) (IP) 領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商Kilopass Technology Inc. 今天宣布，該公司的XPM?嵌入式一次性可編程 (OTP) 非易失性存儲器技術(shù)率先在TSMC? 40nm和45nm低功率工藝技術(shù)中完成TSMC IP-9000四級認(rèn)證與偏差鑒定。此外，Kilopass 40/45nm一次性可編程技術(shù)的早期采用客戶也已經(jīng)成功完成設(shè)計(jì)定案。在與標(biāo)準(zhǔn)的邏輯工藝整合方面，Kilopass基于邏輯的XPM一次性可編程技術(shù)無需另加成本，是市面上針對該行業(yè)最先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的領(lǐng)先非易失性存儲器知識產(chǎn)權(quán)。

臺積電（TSMC）知識產(chǎn)權(quán)組合營銷部副總監(jiān)Dan Kochpatcharin表示：“我們很高興能夠與Kilopass合作，從而為我們客戶40/45nm方面的知識產(chǎn)權(quán)需求提供支持。Kilopass為我們那些向40nm技術(shù)升級的無線移動與機(jī)頂盒客戶提供了及時的支持，讓他們能夠獲得高性能、低功率以及高整合度?！?/P>

Kilopass工程部副總裁Lee Cleveland指出：“我們與規(guī)模最大的純晶圓半導(dǎo)體代工廠臺積電密切合作，確保我們的技術(shù)能夠?yàn)槲覀兦把氐脑O(shè)計(jì)客戶所用。我們先進(jìn)的低功率工藝節(jié)點(diǎn)非易失性存儲器知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)的推出進(jìn)一步提高了我們的能力，滿足移動與消費(fèi)應(yīng)用對性能和功率的嚴(yán)格要求。我們非常激動能夠成為首個在臺積電的45nm/40nm工藝節(jié)點(diǎn)上提供邏輯一次性可編程存儲器的知識產(chǎn)權(quán)提供商?！?/P>

基于邏輯的XPM?一次性可編程技術(shù)與工藝技術(shù)成比例。與其他的非易失性存儲器技術(shù)相比，Kilopass 的一次性可編程晶片面積與編程時間隨著幾何面積的縮小而顯著減少。XPM?系列的配置選項(xiàng)包括密度、讀取電壓、程序/讀出總線寬度以及電荷泵，以滿足不同的設(shè)計(jì)需求。

面市情況

Kilopass XPM?一次性可編程技術(shù)在臺積電推出，適用范圍為180nm至40nm。