GLOBALFOUNDRIES和ARM發(fā)布28nm SoC技術(shù) 2010年下半年即可使用
美國GLOBALFOUNDRIES公司和英國ARM公司共同開發(fā)了移動設(shè)備用28nm級的SoC技術(shù),并在正于西班牙巴塞羅那市舉行的 “Mobile World Congress 2010(MWC 2010)上發(fā)布。該技術(shù)基于ARM的“Cortex-A9處理器”和物理層IP內(nèi)核,以及GLOBALFOUNDRIES的28nm工藝技術(shù)。 GLOBALFOUNDRIES表示,這一28nm工藝2010年下半年開始就可以使用。
兩公司聯(lián)合開發(fā)的28nm SoC技術(shù)主要面向智能手機(jī)和智能本(Smar-Book)等高性能便攜終端所配備的LSI。與45/40nm工藝相比,同等功耗下運(yùn)行速度可提高 40%,同等運(yùn)行速度條件下功耗可減少30%。GLOBALFOUNDRIES準(zhǔn)備有超低耗電(SLP:super low power)版和高速版(HP:high performance)版兩種28nm工藝。均采用高介電率(high-k)柵極絕緣膜/金屬柵極技術(shù),沿用了原有的稱為Gate First方式的的柵層疊(Gate Stack)形成工序。
ARM在GLOBALFOUNDRIES之外,還在與美國IBM公司的工藝開發(fā)聯(lián)盟(the IBM Joint Development Alliance)的成員企業(yè)聯(lián)合開發(fā)使用高介電/金屬柵極技術(shù)的工藝和物理層IP內(nèi)核。ARM預(yù)定在MWC 2010上首次披露集成有與上述成員企業(yè)聯(lián)合開發(fā)的28nm SoC晶圓。
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