GLOBALFOUNDRIES和ARM發(fā)布28nm SoC技術(shù)，2010年下半年即可使用

時間：2010-02-26 06:46:00

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[導(dǎo)讀]美國GLOBALFOUNDRIES公司和英國ARM公司共同開發(fā)了移動設(shè)備用28nm級的SoC技術(shù)，并在正于西班牙巴塞羅那市舉行的“Mobile World Congress 2010（MWC 2010）上發(fā)布。該技術(shù)基于ARM的“Cortex-A9處理器”和物理層IP內(nèi)核，

美國GLOBALFOUNDRIES公司和英國ARM公司共同開發(fā)了移動設(shè)備用28nm級的SoC技術(shù)，并在正于西班牙巴塞羅那市舉行的“Mobile World Congress 2010（MWC 2010）上發(fā)布。該技術(shù)基于ARM的“Cortex-A9處理器”和物理層IP內(nèi)核，以及GLOBALFOUNDRIES的28nm工藝技術(shù)。GLOBALFOUNDRIES表示，這一28nm工藝2010年下半年開始就可以使用。

兩公司聯(lián)合開發(fā)的28nm SoC技術(shù)主要面向智能手機和智能本（Smar-Book）等高性能便攜終端所配備的LSI。與45/40nm工藝相比，同等功耗下運行速度可提高40％，同等運行速度條件下功耗可減少30％。GLOBALFOUNDRIES準(zhǔn)備有超低耗電（SLP：super low power）版和高速版（HP：high performance）版兩種28nm工藝。均采用高介電率（high-k）柵極絕緣膜/金屬柵極技術(shù)，沿用了原有的稱為Gate First方式的的柵層疊（Gate Stack）形成工序。

ARM在GLOBALFOUNDRIES之外，還在與美國IBM公司的工藝開發(fā)聯(lián)盟（the IBM Joint Development Alliance）的成員企業(yè)聯(lián)合開發(fā)使用高介電/金屬柵極技術(shù)的工藝和物理層IP內(nèi)核。ARM預(yù)定在MWC 2010上首次披露集成有與上述成員企業(yè)聯(lián)合開發(fā)的28nm SoC晶圓。（記者大下淳一）