諾發(fā)先進(jìn)SPM-F技術(shù)協(xié)助提升晶圓廠產(chǎn)能

諾發(fā)系統(tǒng)(Novellus)近日開發(fā)出一項(xiàng)SPM-F填充制程技術(shù)，以延伸其SPEED MAX系統(tǒng)在隔離淺溝槽(STI)充填沈積應(yīng)用至32柰米技術(shù)節(jié)點(diǎn)。這種新制程技術(shù)利用SPEED MAX高密度電漿化學(xué)氣相沈積(HDP-CVD)平臺，可取代濕式刻蝕加工，并可發(fā)揮動(dòng)態(tài)配置控制(DPC)功能，從而增加晶圓廠的生產(chǎn)力。
控制濺射到沈積(S/D值)的比例并產(chǎn)生連續(xù)式的沈積/蝕刻來編織需要的輪廓，諾發(fā)系統(tǒng)工程師使用氟(SPM-F)開發(fā)出這種單次，連續(xù)調(diào)制輪闊技術(shù)以填補(bǔ)32柰米功能架構(gòu)。此一制程同時(shí)也能可滿足嚴(yán)格的STI邏輯應(yīng)用的整合上需求和量產(chǎn)制造的必要條件。
隨 著半導(dǎo)體制造商轉(zhuǎn)移到32奈米以后，需要以最少的硬件修改擴(kuò)展現(xiàn)有的平臺技術(shù)是至關(guān)重要的，不僅要滿足發(fā)展的時(shí)間表，而且要管理制造成本。由于改變新材料 會(huì)增加整合上的不確定以及用來取代的新沈積薄膜技術(shù)有很多不可取的特質(zhì)，所以HDP仍是先進(jìn)的填充幾何結(jié)構(gòu)介質(zhì)技術(shù)首選。
然 而，要達(dá)到32奈米以后之間隙充填需求，傳統(tǒng)HDP沈積過程中，利用交替沈積和蝕刻周期填補(bǔ)功能必須小心控制。太多的沈積/蝕刻周期，或控制過程的不一致 性，會(huì)導(dǎo)致過多的消減或產(chǎn)生坑道內(nèi)的空洞而損失晶圓良率。加入濕法刻蝕的過程是可以克服填空不足但會(huì)增加成本及整合的復(fù)雜性和生產(chǎn)率低下降。為了實(shí)現(xiàn)完整 的填空能力而不使用濕法刻蝕步驟，必須調(diào)整優(yōu)化晶圓上制程參數(shù)，如S/D值，化學(xué)反應(yīng)和蝕刻均勻性。
諾發(fā)SPEED Max系統(tǒng)展延HDP-CVD方法應(yīng)用到45和32奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)。該系統(tǒng)的恒溫反應(yīng)室的設(shè)計(jì)以及結(jié)合擴(kuò)大電漿源其允許生產(chǎn)更多的晶圓在反應(yīng)室的累積膜厚清 除循還之間提供卓越的系統(tǒng)生產(chǎn)量。此外SPEED Max的多口噴射，再加上獨(dú)立電漿源技術(shù)所定制重復(fù)的沈積和蝕刻的最佳程續(xù)可達(dá)成晶圓上薄膜厚度和充填的均勻性。
諾發(fā)系統(tǒng)發(fā)展出SPPED MAX系統(tǒng)平臺上獨(dú)特的SPM-F填充制程來除去額外濕式蝕刻的步驟。利用SPEED MAX的密集電漿源和DPC技術(shù)，能夠減少結(jié)構(gòu)上端氧化程度并消除在高低密集數(shù)組上的切剪效應(yīng)來完成填充的32奈米結(jié)構(gòu)。