GLOBALFOUNDRIES將在GSA展突顯32nm/28nm技術(shù)領(lǐng)先地位

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隨著半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)始向下一代技術(shù)節(jié)點(diǎn)過(guò)渡，GLOBALFOUNDRIES有望占據(jù)代工技術(shù)領(lǐng)先者的地位。10月1日，在加利福尼亞州圣克拉拉市舉辦的全球半導(dǎo)體聯(lián)盟新機(jī)遇會(huì)展(Global Semiconductor Alliance Emerging Opportunities Expo & Conference)上，GLOBALFOUNDRIES（321號(hào)展位）將提供有關(guān)其32nm/28nm技術(shù)路線(xiàn)圖，以及基于高 k金屬柵極（HKMG）技術(shù)是“柵極優(yōu)先”的創(chuàng)新晶體管制造方案的最新細(xì)節(jié)。

iSuppli公司主管兼首席分析師Len Jelinek說(shuō)：“對(duì)于每一代新技術(shù)，半導(dǎo)體代工商正日益受到維持研發(fā)的經(jīng)濟(jì)狀況、以及將這些技術(shù)大規(guī)模推向市場(chǎng)所需技能的挑戰(zhàn)。憑借快速提升的、可以較高良率量產(chǎn)的領(lǐng)先技術(shù)，加上積極的產(chǎn)能和技術(shù)投資，GLOBALFOUNDRIES正處于挑戰(zhàn)下一代晶片代工領(lǐng)先地位的獨(dú)特有利形勢(shì)?！?/p>

GLOBALFOUNDRIES預(yù)計(jì)2010年下半年在一廠(chǎng)開(kāi)始32nm-SHP （超高性能）技術(shù)的批量生產(chǎn)。該技術(shù)將采用硅絕緣體（SOI）襯底，并利用GLOBALFOUNDRIES的創(chuàng)新“柵極優(yōu)先”HKMG方案。與其他的“柵極最后”方案相比，“柵極優(yōu)先”的HKMG方案可盡量提高功率效率，盡量縮小晶體管尺寸，同時(shí)盡量減少芯片尺寸和設(shè)計(jì)復(fù)雜性。24Mb SRAM的良率繼續(xù)以?xún)晌粩?shù)字增長(zhǎng)，今年年底有望達(dá)到百分之五十的自然良率。

GLOBALFOUNDRIES一廠(chǎng)高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Jim Doran表示：“與目前我們?cè)谝粡S(chǎng)使用的45納米技術(shù)相比，32納米技術(shù)的性能將提高達(dá)百分之五十，同時(shí)具有與45納米技術(shù)相同的漏電流水平。當(dāng)把這與我們獲得專(zhuān)利的自動(dòng)化精確生產(chǎn)（APM）技術(shù)，以及極低的產(chǎn)品缺陷密度相結(jié)合，我們相信，在為我們的客戶(hù)將該技術(shù)批量推向市場(chǎng)方面，我們將在代工商中處于領(lǐng)先地位?！?/p>

作為一家新加入代工行業(yè)的企業(yè)，GLOBALFOUNDRIES帶來(lái)了領(lǐng)先的高性能處理器生產(chǎn)技術(shù)。在向45納米這代技術(shù)過(guò)渡時(shí)，GLOBALFOUNDRIES比其他代工企業(yè)提前2到3個(gè)季度實(shí)現(xiàn)了具有成熟收益率的批量生產(chǎn)，同時(shí)比所有其他半導(dǎo)體制造商提前實(shí)施了復(fù)雜的光刻新技術(shù)（浸沒(méi)式光刻技術(shù)）。

對(duì)于將用于大塊硅襯底的28nm這一代技術(shù)，該公司的低成本設(shè)計(jì)原型設(shè)計(jì)穿梭服務(wù)（shuttle service）將于2010年第1季度接受客戶(hù)和第三方IP設(shè)計(jì)，并計(jì)劃2010年下半年開(kāi)始生產(chǎn)。28nm技術(shù)提供了目前代工行業(yè)報(bào)告的最小的SRAM單元尺寸（0.12平方微米），以及相對(duì)于28nm“柵極最后”方案的芯片尺寸優(yōu)勢(shì)。此外，對(duì)于使用傳統(tǒng)的基于多晶硅/氮氧化硅技術(shù)的5/40nm和32nm的客戶(hù)，由于具有類(lèi)似的工藝流程和設(shè)計(jì)規(guī)則，GLOBALFOUNDRIES的“柵極優(yōu)先”的HKMG方案簡(jiǎn)化了28nm設(shè)計(jì)的實(shí)施以及IP重用。

處于28nm節(jié)點(diǎn)的客戶(hù)將受益于32nm節(jié)點(diǎn)的領(lǐng)先技術(shù)的大批量應(yīng)用，當(dāng)28nm技術(shù)生產(chǎn)開(kāi)始后，這將使GLOBALFOUNDRIES進(jìn)入第二代的HKMG實(shí)施。28nm節(jié)點(diǎn)將有兩種不同形式：28nm-HP（高性能）形式，該形式將進(jìn)行優(yōu)化以用于諸如圖形、游戲機(jī)、存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)和媒體編碼等領(lǐng)先應(yīng)用；28nm-SLP（超低功率）形式，該形式將進(jìn)行優(yōu)化以用于諸如基帶、應(yīng)用處理器以及其它手持功能等需要較長(zhǎng)電池壽命的無(wú)線(xiàn)移動(dòng)應(yīng)用。

GLOBALFOUNDRIES的采用“柵極優(yōu)先”的HKMG加工方案的32nm和28nm技術(shù)，最初是在參加IBM技術(shù)聯(lián)盟時(shí)與IBM合作開(kāi)發(fā)的。2007年，IBM及其研究伙伴首先推出作為長(zhǎng)期努力的晶體管改進(jìn)基礎(chǔ)的“柵極優(yōu)先”HKMG創(chuàng)新，以處理45nm節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)的漏電問(wèn)題。