GLOBALFOUNDRIES將在GSA展突顯32nm/28nm技術(shù)領(lǐng)先地位

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隨著半導體行業(yè)開始向下一代技術(shù)節(jié)點過渡，GLOBALFOUNDRIES有望占據(jù)代工技術(shù)領(lǐng)先者的地位。10月1日，在加利福尼亞州圣克拉拉市舉辦的全球半導體聯(lián)盟新機遇會展(Global Semiconductor Alliance Emerging Opportunities Expo & Conference)上，GLOBALFOUNDRIES（321號展位）將提供有關(guān)其32nm/28nm技術(shù)路線圖，以及基于高 k金屬柵極（HKMG）技術(shù)是“柵極優(yōu)先”的創(chuàng)新晶體管制造方案的最新細節(jié)。

iSuppli公司主管兼首席分析師Len Jelinek說：“對于每一代新技術(shù)，半導體代工商正日益受到維持研發(fā)的經(jīng)濟狀況、以及將這些技術(shù)大規(guī)模推向市場所需技能的挑戰(zhàn)。憑借快速提升的、可以較高良率量產(chǎn)的領(lǐng)先技術(shù)，加上積極的產(chǎn)能和技術(shù)投資，GLOBALFOUNDRIES正處于挑戰(zhàn)下一代晶片代工領(lǐng)先地位的獨特有利形勢。”

GLOBALFOUNDRIES預(yù)計2010年下半年在一廠開始32nm-SHP （超高性能）技術(shù)的批量生產(chǎn)。該技術(shù)將采用硅絕緣體（SOI）襯底，并利用GLOBALFOUNDRIES的創(chuàng)新“柵極優(yōu)先”HKMG方案。與其他的“柵極最后”方案相比，“柵極優(yōu)先”的HKMG方案可盡量提高功率效率，盡量縮小晶體管尺寸，同時盡量減少芯片尺寸和設(shè)計復(fù)雜性。24Mb SRAM的良率繼續(xù)以兩位數(shù)字增長，今年年底有望達到百分之五十的自然良率。

GLOBALFOUNDRIES一廠高級副總裁兼總經(jīng)理Jim Doran表示：“與目前我們在一廠使用的45納米技術(shù)相比，32納米技術(shù)的性能將提高達百分之五十，同時具有與45納米技術(shù)相同的漏電流水平。當把這與我們獲得專利的自動化精確生產(chǎn)（APM）技術(shù)，以及極低的產(chǎn)品缺陷密度相結(jié)合，我們相信，在為我們的客戶將該技術(shù)批量推向市場方面，我們將在代工商中處于領(lǐng)先地位?！?/p>

作為一家新加入代工行業(yè)的企業(yè)，GLOBALFOUNDRIES帶來了領(lǐng)先的高性能處理器生產(chǎn)技術(shù)。在向45納米這代技術(shù)過渡時，GLOBALFOUNDRIES比其他代工企業(yè)提前2到3個季度實現(xiàn)了具有成熟收益率的批量生產(chǎn)，同時比所有其他半導體制造商提前實施了復(fù)雜的光刻新技術(shù)（浸沒式光刻技術(shù)）。

對于將用于大塊硅襯底的28nm這一代技術(shù)，該公司的低成本設(shè)計原型設(shè)計穿梭服務(wù)（shuttle service）將于2010年第1季度接受客戶和第三方IP設(shè)計，并計劃2010年下半年開始生產(chǎn)。28nm技術(shù)提供了目前代工行業(yè)報告的最小的SRAM單元尺寸（0.12平方微米），以及相對于28nm“柵極最后”方案的芯片尺寸優(yōu)勢。此外，對于使用傳統(tǒng)的基于多晶硅/氮氧化硅技術(shù)的5/40nm和32nm的客戶，由于具有類似的工藝流程和設(shè)計規(guī)則，GLOBALFOUNDRIES的“柵極優(yōu)先”的HKMG方案簡化了28nm設(shè)計的實施以及IP重用。

處于28nm節(jié)點的客戶將受益于32nm節(jié)點的領(lǐng)先技術(shù)的大批量應(yīng)用，當28nm技術(shù)生產(chǎn)開始后，這將使GLOBALFOUNDRIES進入第二代的HKMG實施。28nm節(jié)點將有兩種不同形式：28nm-HP（高性能）形式，該形式將進行優(yōu)化以用于諸如圖形、游戲機、存儲、網(wǎng)絡(luò)和媒體編碼等領(lǐng)先應(yīng)用；28nm-SLP（超低功率）形式，該形式將進行優(yōu)化以用于諸如基帶、應(yīng)用處理器以及其它手持功能等需要較長電池壽命的無線移動應(yīng)用。

GLOBALFOUNDRIES的采用“柵極優(yōu)先”的HKMG加工方案的32nm和28nm技術(shù)，最初是在參加IBM技術(shù)聯(lián)盟時與IBM合作開發(fā)的。2007年，IBM及其研究伙伴首先推出作為長期努力的晶體管改進基礎(chǔ)的“柵極優(yōu)先”HKMG創(chuàng)新，以處理45nm節(jié)點出現(xiàn)的漏電問題。