SEMI預測,2010年全球晶圓廠成長幅度將達64%,規(guī)模達240億美元。但預計其中很大部份(約140億美元)將來自少數(shù)幾家公司──半導體界的“六大天王”已經(jīng)宣布了他們積極的投資計劃。
在這前所未見的低迷氣氛中,過去一年來,這些公司發(fā)布的大規(guī)模投資計劃著實令人驚訝。SEMI的研究顯示,未來2年內(nèi),這六家公司還將投入大量資金,以迎接經(jīng)濟挑戰(zhàn)。
·臺積電:在經(jīng)濟衰退之際,臺積電仍然連續(xù)兩次調(diào)高了資本支出。2009年5月,臺積電首次將其資本支出計劃從15億美元擴大為19億美元,而在同年7月底,再次宣布加碼至23億美元。2010年,隨著半導體需求持續(xù)復蘇,加上全球經(jīng)濟開始走出衰退陰影,臺積電的資本支出也預計將達到20億美元以上。
·GlobalFoundries:GlobalFoundries 的合作伙伴──來自杜拜的ATIC公司,投資了21億美元購買其晶圓廠股份。ATIC已承諾額外注入36億美元股票資金(equity funding),并在未來5年內(nèi)提高至60億美元,協(xié)助GlobalFoundries擴展業(yè)務。2009年,該晶圓廠的資本支出估計在6~7億美元之間,未來兩年則可望提升至每年10億美元以上。
·東芝(Toshiba):2009年6月,東芝開始在全球股票市場集資30億美元進行晶圓廠投資。這是過去8年來,全日本由非金融公司所進行的最大股票發(fā)行案。東芝將繼續(xù)專注于NAND閃存,并擴大其與IBM聯(lián)盟的伙伴關系,并更新與三星(Samsung) 的NAND專利協(xié)議。東芝公司在2009-2011會計年度的的總資本支出計劃是11億日圓(約115億美元)。其中,2009年用于半導體事業(yè)的資本支出計劃為9,400億美元。約47億美元將用于2010和2011會計年度。2010年額度約20億美元,2011年預計將稍高一些。
· 三星:三星的最新動作,是將位于奧斯汀的200mm產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為300mm的后段制程(BEOL)產(chǎn)線,以支持其現(xiàn)有的300mm前段制程。三星公司 (Austin)總裁Y.B. Koh希望獲得“制造業(yè)回到裸墻?!盨EMI估計,三星在2010年的資本支出約為40~50億美元,主要用于升級德州Austin 1與Austin 2,以及韓國的Line 15與Line 16產(chǎn)線。
·英特爾(Intel):2009年4月,英特爾宣布在未來幾年內(nèi),將花費70億美元來改善現(xiàn)有設施,以推動32nm技術量產(chǎn)。SEMI預測,這70億美元中,約有30~40億美元會用于2009年,其余將用在2010年。
·華亞科技(Inotera):這家由南亞(NanYa)與美光(Micron)合資成立的公司宣布了一個16億美元的計劃,將從70nm溝槽式技術轉(zhuǎn)換到50nm的堆棧電容技術,并使用浸入式蝕刻工具。華亞擁有來自于南亞母公司臺塑的強大財政支柱。其工廠預計在今年稍晚至明年進行裝配,這可為該公司在2010年貢獻約10億美元的資本支出。
晶圓廠資本支出
2010年,全球的總晶圓廠支出(包括建造和裝配晶圓設施)也預計將增加64%,達240億美元。而隨著這持續(xù)升級投資,六家廠商將占據(jù)總支出的一半以上。64%的增幅看似非常高,但我們?nèi)皂毧紤]此一增長是以 2009年的歷史最低水平為基礎。僅僅5億美元的資本支出差異,對成長率的影響就可能達到4%。
將2010年的支出額與2008年相較(見表1),增長率將出現(xiàn)負值。事實上,工廠的總支出(建筑加裝備)在2010年將保持在2003年以來最低水平──當年的資本支出額約220億美元。
2008-2010年資本支出比較
表1:2008-2010年資本支出比較
*裝配晶圓廠:任何與前端設備相關的費用,包括使用全新或二手設備的晶圓加工、光罩(mask/reticle)以及其它配套設備。
2009下半年,每季的總晶圓廠裝配(含建造和裝機)成長率可望達到2位數(shù),到2010年還可望維持8%-15%的成長率(圖1)。
前段制程設備的支出(含建造和裝機
圖1:前段制程設備的支出(含建造和裝機)
2010 年,花費最多資金用于建造晶圓廠的地區(qū)將是美國。但在對于裝機方面美國也將名列第一,其次是臺灣和韓國。2009年,超過32家公司對總晶圓廠資本支出的貢獻度可能達140~150億美元。而到了2010年,該數(shù)字可望變成超過40家公司共同貢獻了約240億美元的資本支出。而前面提到的六家主要供應商,在2010年的資本支出額度預估將達140億美元,等同于2009年全球所有晶圓廠的總資本支出額度(140-150億美元)。
晶圓廠產(chǎn)能
半導體界“六大天王”約占全球30%產(chǎn)能。這些供應商在2009與2010年的投資大部份集中在升級其晶圓廠,而非投資新的晶圓廠。 GlobalFoundries的產(chǎn)能相較之下少于其它五大天王,然而,這家新進入的代工業(yè)者才剛開始擴充產(chǎn)能,同時也在為新的晶圓廠做準備。
經(jīng)濟低迷對全球產(chǎn)能也造成了影響。由于2009年積弱不振的資本支出,不少生產(chǎn)線也宣告停止運轉(zhuǎn)。SEMI預測資料顯示,到2009年底大約有31家晶圓廠會關門大吉,另外還有16家可能在2010年退場。
2009年第一季,晶圓廠的平均產(chǎn)能利用率下降了約56%(業(yè)界各別公司回報的下降幅度約在30%~70%之間)。雖然一些公司(如臺積電)目前正在運轉(zhuǎn)中的一些廠房利用率已達滿載,但在2009年底,整體產(chǎn)能利用率仍可能在70%~80%之間。
內(nèi)存、晶圓代工、邏輯/模擬及其它等不同類別產(chǎn)品的裝機產(chǎn)能
圖2:內(nèi)存、晶圓代工、邏輯/模擬及其它等不同類別產(chǎn)品的裝機產(chǎn)能
內(nèi)存在裝機產(chǎn)品中占最大比重,從2002~2007年,隨著導入300mm晶圓廠,每年成長率均保持在20%~50%。然而,2008年內(nèi)存的產(chǎn)能成長率放緩至8%,2009年的成長率則約為-5%~-6%。2010年,內(nèi)存的裝機產(chǎn)能成長率預估為4%~5%,與過去的高成長相比,這個數(shù)字非常低。
全球NAND市場需求在2009年預估將增加約70億GB至150億GB;在2011與2012年則將增加300億~500億GB。目前,業(yè)界僅增加極少量的裝機產(chǎn)能要如何滿足這些需求,仍然是一個問號。晶圓界六大天王中,生產(chǎn)閃存的東芝、三星與英特爾(IM Flash),將會在產(chǎn)能方面進行一些投資。不過,從破土到真正上線運轉(zhuǎn),建造一家晶圓廠至少需要1~1.5年的時間,因此,在2010年投資建造的新晶圓廠無法提供任何新的產(chǎn)能,必須等到2011或2012年。[!--empirenews.page--]
SEMI預測,2010年全球晶圓廠資支出增長幅度約為64%。全球各地的經(jīng)濟振興方案能提升不同地區(qū)的國家生產(chǎn)毛額(GDP),并持續(xù)對2010年帶來更好的影響──或許可帶動其它公司加入‘六大天王’俱樂部,然后,我們談論的對象就會變成“七大巨星”。