特許半導(dǎo)體四季度上馬32nm工藝 明年轉(zhuǎn)入28nm
新加坡特許半導(dǎo)體計劃在今年第四季度推出32nm制造工藝,明年上半年再進(jìn)一步轉(zhuǎn)入28nm。
特許半導(dǎo)體很可能會在明天的技術(shù)論壇上公布32nm SOI工藝生產(chǎn)線的試運(yùn)行計劃,并披露28nm Bulk CMOS工藝路線圖,另外45/40nm LP低功耗工藝也已就緒。
特許的28nm工藝并非獨(dú)立研發(fā),而是在其所處的IBM技術(shù)聯(lián)盟中獲取的,將會使用高K金屬柵極(HKMG)技術(shù)以及Gate-first技術(shù)(Intel是Gate-last的堅定支持者)。
特許半導(dǎo)體2009年技術(shù)論壇將在臺灣新竹市舉行,由該公司CEO謝松輝(Chia Song Hwee)主持,4日還會在上海舉辦類似的會議。
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