恩智浦推出全球首款2mmx2mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

恩智浦半導(dǎo)體(NXP)近日推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。

即將面世的新型 PMPB11EN和 PMPB20EN 30V N溝道MOSFET是采用恩智浦 DFN2020MD-6 (SOT1220) 封裝的20多類器件中率先推出的兩款產(chǎn)品。這兩款MOSFET的最大漏極電流(ID)大于10A，10V時的超低導(dǎo)通電阻Rds(on)分別為12 mOhm(典型值)和16.5 mOhm(典型值)，因此導(dǎo)通損失小，功耗更低，電池使用壽命更長。

新型DFN2020 MOSFET高度僅為0.6毫米，比當(dāng)今市場上大多數(shù)2 mm x 2 mm的產(chǎn)品更加輕薄，是智能手機(jī)和平板電腦等便攜應(yīng)用設(shè)備中超小型負(fù)載開關(guān)、電源轉(zhuǎn)換器和充電開關(guān)的理想之選。該款MOSFET還適用于其他空間受限應(yīng)用，其中包括直流電機(jī)、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通信以及LED照明，在這類應(yīng)用中功率密度和效率尤為關(guān)鍵。DFN2020的封裝尺寸僅為標(biāo)準(zhǔn)SO8封裝的八分之一，提供與其相當(dāng)?shù)臒嶙?，能夠代替具有相同?dǎo)通電阻Rds(on)值范圍的許多大型MOSFET封裝，如SO8封裝、3 mm x 3 mm封裝或TSSOP8封裝。

新型MOSFET提升了恩智浦超小型無引腳MOSFET產(chǎn)品線，截止到今年年末將有超過60種封裝，封裝尺寸為2 mm x 2 mm或1 mm x 0.6 mm。如今，恩智浦是超小型低導(dǎo)通電阻Rds(on) MOSFET的主要生產(chǎn)商，提供電平場效應(yīng)晶體管(FET)和雙極晶體管技術(shù)。