華為海思將采用中芯28nm驍龍410 摒棄臺積電

今年8月，內(nèi)地最大集成電路晶圓代工廠中芯國際(SMIC)宣布采用其28nm工藝制程的驍龍410芯片開始用于主流智能手機，可謂開創(chuàng)了先進手機芯片制造落地中國的新紀元。

據(jù)媒體報道，在近日接受采訪時，中芯國際執(zhí)行副總裁李序武稱，將有一批新的客戶使用新的28nm HKMG(后閘級高介電常數(shù)絕緣層)，包括華為海思、博通。

報道稱，目前，中芯國際的28nm在傳統(tǒng)PoliSiON(PS，多晶硅)工藝組件上實現(xiàn)了量產(chǎn)，正在加速HKMG的交付。

對于今年6月份聯(lián)合高通、華為、比利時微電子研究中心合資開發(fā)14nm FinFET的事情，李序武也透露，比利時團隊已經(jīng)派工作組進駐中芯參與工作，預計風險試產(chǎn)的時間最快是2018年。

目前，海思28nm高端芯片麒麟935來自臺積電，資料顯示采用的是HPC工藝(H代表HKMG)。一切順利的話，定位略低于麒麟950的新處理器或者麒麟935的一部分生產(chǎn)工作將交給SMIC，打造最強中國芯。