Intel 10nm HPM/GP工藝的ARM架構(gòu)SoC年底流片

 近日消息，據(jù)外媒報(bào)道，盡管在一些領(lǐng)域已經(jīng)有明顯競(jìng)爭(zhēng)的Intel和ARM宣布將建立廣泛的合作關(guān)系。

其中一個(gè)表現(xiàn)形式就是，基于ARM IP的很多芯片將采用Intel的22nm FFL和10nm HPM/GP工藝代工。

比如，ARM今年年中發(fā)布的Cortex-A55，已經(jīng)基于Intel的22nm FFL，實(shí)驗(yàn)在了智能手機(jī)上實(shí)現(xiàn)主頻2.35GHz(0.45V電壓)。

更令人激動(dòng)的是，基于Intel 10nm HPM/GP工藝的ARM架構(gòu)SoC將不遲于今年底流片。它基于的是下一代Cortex-A(A75或者更高?)，實(shí)現(xiàn)了3.5GHz主頻、0.5V電壓，而單核最高功耗只有不到0.9瓦(驍龍820單個(gè)Kyro大核約2瓦)。

目前，Intel的14nm已經(jīng)用在展訊的x86移動(dòng)芯片上，但x86制約了展訊在廣泛的消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)大展拳腳。同時(shí)，為了進(jìn)一步增加營(yíng)收，Intel才在北京的“精尖制造日”上強(qiáng)調(diào)，代工一定會(huì)放開(kāi)。

資料顯示，同樣是10nm，Intel表示每平方毫米可以放1億個(gè)晶園體，臺(tái)積電呢只有4800萬(wàn)，而三星也不過(guò)才5160萬(wàn)，按照Intel的說(shuō)法，同概念制程領(lǐng)先對(duì)手3年。

至于Intel 10nm工藝的ARM芯片會(huì)是誰(shuí)，目前唯一有消息流出的就是LG。