Tezzaron將采用FaStack技術(shù)用于生產(chǎn)下一代3D芯片

      ElpidaMemoryInc、PowertechTechnologyInc和UnitedMicroelectronicsCorp.(UMC)在本周組成聯(lián)盟，以加速開發(fā)采用28納米節(jié)點以及其它工藝的3D芯片。

      這些3D設(shè)備將采用TSV技術(shù)。這項合作將充分利用爾必達(dá)(Elpida)公司的DRAM技術(shù)、Powertech的組裝線和UMC的代工邏輯技術(shù)來開發(fā)3D設(shè)備，其中包括集成了邏輯器件和DRAM的3D設(shè)備。

      Tezzaron公司至少和一個代工伙伴展開合伙——CharteredSemiconductorManufacturingPte.Ltd.——這家公司最近被GlobalFoundries收購。

      Mosis為設(shè)計人員提供先進(jìn)的集成電路制造服務(wù)。CMC提供設(shè)計服務(wù)、設(shè)計工具、設(shè)立測試實驗室和為客戶安排生產(chǎn)。CMP是IC和MEMS產(chǎn)業(yè)中提供原型設(shè)計和小批量生產(chǎn)的中介。

      又一個3D(三維)芯片聯(lián)盟出世。CMP、CMCMicrosystems和Mosis合作推出一項3D多項目晶圓(MPW)服務(wù)，以Tezzaron公司的3D芯片技術(shù)和GlobalFoundries公司的130納米CMOS代工工藝為基礎(chǔ)。

      首次MPW生產(chǎn)在2011年1月。到時將利用兩層面對面的粘接晶圓和針對這兩層晶圓的130納米CMOS工藝。上層將利用TSV和背面金屬片用于焊線。此外，還有一套帶標(biāo)準(zhǔn)單元和IO庫的設(shè)計工具包。

      多年以來，Tezzaron一直在致力于研發(fā)基于3D晶圓堆棧和硅通孔制程(TSV，Through-Silicon-Via，通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通，實現(xiàn)芯片之間互連的技術(shù))的高速存儲產(chǎn)品。據(jù)稱將采用Tezzaron公司的FaStack技術(shù)用于生產(chǎn)3D芯片。該制程的重點是晶圓的堆棧和焊接過程。